[发明专利]多芯片半导体器件和存储卡

权利要求书

1．一种多芯片半导体器件，具有许多个半导体芯片，其特征在于：

上述多个半导体芯片分别包括：

集成了元件的半导体衬底；

连接插头，形成在穿透上述半导体衬底的穿通孔内；以及

熔丝部分，设置在上述连接插头和凸块形成区之间，通过有选择地将其切断，对上述连接插头和凸块进行电连接和分离；

通过凸块来连接上述各半导体芯片的连接插头，对上述多个半导体芯片进行叠层安装。

2．如权利要求1所述的多芯片半导体器件，其特征在于：

上述连接插头的构成部分包括：形成在上述半导体衬底上的穿通孔侧壁上的第1绝缘膜、以及埋入在上述穿通孔内形成的，依靠上述第1绝缘膜与上述半导体衬底进行电隔离的导电性穿通插销，

上述熔丝部分的构成部分包括：形成在上述半导体衬底上的第2绝缘膜；其形成位置与上述第2绝缘膜上的上述连接插头相对应，其上面形成凸块的焊盘；形成在上述第2绝缘膜中的熔丝；以及通过上述熔丝使上述焊盘和上述穿通插销进行电连接的布线。

3．如权利要求1所述的多芯片半导体器件，其特征在于：通过有选择地切断上述熔丝部分来指定上述各半导体芯片的芯片地址。

4．如权利要求1所述的多芯片半导体器件，其特征在于：当叠层的上述半导体芯片数为n(n为2以上的整数)时，在各个上述半导体芯片上至少设置(n-1)个上述连接插头，在上述各连接插头上设置上述熔丝部分。

5．如权利要求1所述的多芯片半导体器件，其特征在于：当叠层的半导体芯片数为n(n为2以上的整数)时，在上述各个半导体芯片上设置(n-1)个第1连接插头和n个第2连接插头，在上述各第1连接插头上设置上述熔丝部分。

6．如权利要求5所述的多芯片半导体器件，其特征在于还具有可选电路，该电路分别设置在上述许多个半导体芯片中，根据上述熔丝部分是否被切断来检测是否选择了上述半导体芯片中的某一个，对被选择的半导体芯片进行激活。

7．如权利要求6所述的多芯片半导体器件，其特征在于：上述自由可选电路根据上述各熔丝部分是否被切断，来判断是否根据上述(n-1)个第1连接插头上所供给的信号、以及经过上述n个第2连接插头而输入的第1至第n芯片启动信号而选择了已形成该自由可选电路的半导体芯片，当判断为已被选择时，对形成该自由可选电路的半导体芯片进行激活。

8．如权利要求1所述的多芯片半导体器件，其特征在于：上述各半导体芯片分别是非易失性的存储器芯片。

9．如权利要求8所述的多芯片半导体器件，其特征在于：上述叠层安装的多个非易失性存储器芯片分别共用冗余用的存储单元块。

10．如权利要求8所述的多芯片半导体器件，其特征在于：在上述叠层安装的多个非易失性存储器芯片中互相通融存储地址分配，在许多个非易失性存储器芯片中进行存储地址分配。

11．一种存储卡，其特征在于包括：

多个实质结构相同的半导体存储器芯片，分别具有：分别设置在穿透半导体芯片的穿通孔内的连接插头、以及位于上述连接插头和凸块形成区之间，通过有选择地切断即可指定地址分配的熔丝部分；

凸块，利用实质上相同的图形来连接上述各半导体存储器芯片的上述连接插头；

卡片状外壳，用于对上述许多个半导体存储器芯片在叠层状态下进行封装；以及

端子，设置在上述卡片状外壳上，用于分别通过上述连接插头，上述熔丝部分和上述凸块来与上述各半导体存储器芯片之间进行信号传输。

12．如权利要求11所述的存储卡，其特征在于：上述连接插头的构成部分包括：形成在上述半导体衬底上的穿通孔侧壁上的第1绝缘膜、以及埋入在上述穿通孔内形成的，利用上述第1绝缘膜来与上述半导体衬底进行电隔离的导电性穿通插头；

上述熔丝部分的构成部分包括：形成在上述半导体衬底上的第2绝缘膜；其形成位置与上述第2绝缘膜上的上述连接插头相对应，其上面形成凸块的焊盘；形成在上述第2绝缘膜中的熔丝；以及通过上述熔丝对上述焊盘和上述穿通插头进行电连接的布线。

13．如权利要求11所述的存储卡，其特征在于：通过有选择地切断上述熔丝部分来指定上述半导体存储器芯片的芯片地址分配。