[发明专利]一种镀敷绝缘物质的方法有效
| 申请号： | 01116607.X | 申请日： | 2001-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1326218A | 公开（公告）日： | 2001-12-12 |
| 发明（设计）人： | 克莱尔·L·威金斯 | 申请（专利权）人： | 特利康控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 孙征 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在一半导体衬底上镀敷绝缘物质用以形成一电容器组件的方法。该方法包括从一金属靶上将一金属氧化物层反应溅镀到所述衬底上的步骤,其中支撑件被施加偏压,用以随着金属氧化物的形成穿经所镀敷的绝缘物质而感应出一直流电压。该电压可以在200至300伏的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 物质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在一支撑件上将绝缘物质镀敷到一半导体衬底上、用以形成一电容器组件的方法，该方法包括从一金属靶上将一金属氧化物层反应溅镀到所述衬底上的步骤，其特征在于，向所述支撑件施加偏压，用以随着金属氧化层的形成，穿过所镀敷的绝缘物质而感应出一直流电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于特利康控股有限公司，未经特利康控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01116607.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
