[发明专利]一种镀敷绝缘物质的方法有效
| 申请号： | 01116607.X | 申请日： | 2001-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1326218A | 公开（公告）日： | 2001-12-12 |
| 发明（设计）人： | 克莱尔·L·威金斯 | 申请（专利权）人： | 特利康控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 孙征 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 物质 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在一支撑件上将绝缘物质镀敷到一半导体衬底上、用以形成一电容器组件的方法，该方法包括从一金属靶上将一金属氧化物层反应溅镀到所述衬底上的步骤，其特征在于，向所述支撑件施加偏压，用以随着金属氧化层的形成，穿过所镀敷的绝缘物质而感应出一直流电压。
2.如权利要求1中所述的方法，其特征在于，所感应出的电压在200至300伏之间。
3.如权利要求1或2中所述的方法，其特征在于，借助于一RF或脉冲直流电源向所述支撑件施加偏压。
4.如权利要求1中所述的方法，其特征在于，利用一RF或者脉冲直流电源向所述靶施加偏压。
5.如前述权利要求中任一个所述的方法，还包括有在镀敷步骤之后或者镀敷过程中对所述氧化物进行等离子氧化的步骤。
6.如前述权利要求中任一个所述的方法，其特征在于，由镀敷在第一电极上的绝缘物质与离散地镀敷在该绝缘物质上表面上的第二电极形成多个电容器。
7.如权利要求6中所述的方法，其特征在于，各个第二电极的面积小于0.01平方厘米。
8.如前述权利要求中任一个所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物为五氧化钽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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