[发明专利]半导体激光设备及其制造方法无效
| 申请号： | 01116246.5 | 申请日： | 2001-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1310499A | 公开（公告）日： | 2001-08-29 |
| 发明（设计）人： | 孝桥生郎 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L21/52 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一种制造半导体激光设备的方法中,将导电芯片焊接糊料施加在焊接表面的预定位置,然后在等于或高于导电芯片焊接糊料稀释体开始蒸发的温度并低于导电芯片焊接糊料开始热定形反应的温度进行预加热。将半导体激光芯片放置在预加热的导电芯片焊接糊料上,加热后者使其硬化。在如此制备的半导体激光设备中,导电芯片焊接糊料与半导体激光芯片端面相粘附的最高位置在距离焊接表面大于0.01mm的高度,但是低于半导体激光芯片的发光点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体激光设备，具有利用导电芯片焊接糊料芯片焊接于焊接表面的半导体激光芯片，所述半导体激光芯片在其每一个相对的端面都具有发光点，其中导电芯片焊接糊料与半导体激光芯片端面相粘附的最高位置在距离焊接表面大于0.01mm的高度，但是低于半导体激光芯片的发光点。
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