[发明专利]半导体激光设备及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体激光设备，具有利用导电芯片焊接糊料芯片焊接于焊接表面的半导体激光芯片，所述半导体激光芯片在其每一个相对的端面都具有发光点，

其中导电芯片焊接糊料与半导体激光芯片端面相粘附的最高位置在距离焊接表面大于0.01mm的高度，但是低于半导体激光芯片的发光点。

2．权利要求1的半导体激光设备，其中所述导电芯片焊接糊料含有环氧树脂作为基本材料。

3．权利要求1的半导体激光设备，其中所述导电芯片焊接糊料含有银片作为导电填料。

4．一种制造半导体激光设备的方法，包括以下步骤：

在焊接表面的预定位置施加导电芯片焊接糊料；

对所施加的导电芯片焊接糊料进行预加热，然后将半导体激光芯片放置在该预加热的导电芯片焊接糊料上；和

将预加热的导电芯片焊接糊料加热至高于该导电芯片焊接糊料开始热定形反应的温度，由此硬化该导电芯片焊接糊料。

5．权利要求4的方法，其中导电芯片焊接糊料预加热的温度等于或高于导电芯片焊接糊料稀释体开始蒸发的温度，但是低于导电芯片焊接糊料开始热定形反应的温度。

6．权利要求4的方法，其中所述导电芯片焊接糊料含有环氧树脂作为基本材料，并被预加热至60℃或更高温度，但低于100℃。

7．权利要求6方法，其中所述导电芯片焊接糊料被预加热至60℃-80℃的温度范围内。

8．权利要求4的方法，其中进行预加热直至导电芯片焊接糊料约为0.02mm薄。

9．权利要求4方法，其中预加热进行2秒或更长时间。