[发明专利]具有冷却装置的图像传感器集成电路组件有效
| 申请号： | 01112157.2 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1319896A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | R·R·福斯特 | 申请（专利权）人： | 全视技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出的这种装置包括一个CMOS图像传感器,它固定在一个与芯片封装合成一体的有源电子冷却器件上。这个有源电子冷却器件可以是一个Peltier、Seebeck、Thompson或通过电流流动使热得到传导的其他物理效应器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 冷却 装置 图像传感器 集成电路 组件 | ||
【主权项】：
1．一种装置，所述装置包括：(a)一个在一个集成电路上形成的CMOS图像传感器；以及(b)一个承载所述CMOS图像传感器的封装结构，所述封装结构包括一个与封装结构合成整体的有源冷却装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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