[发明专利]具有冷却装置的图像传感器集成电路组件有效
| 申请号: | 01112157.2 | 申请日: | 2001-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN1319896A | 公开(公告)日: | 2001-10-31 |
| 发明(设计)人: | R·R·福斯特 | 申请(专利权)人: | 全视技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/38 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邹光新,王忠忠 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 冷却 装置 图像传感器 集成电路 组件 | ||
1.一种装置,所述装置包括:
(a)一个在一个集成电路上形成的CMOS图像传感器;以及
(b)一个承载所述CMOS图像传感器的封装结构,所述封装结构包括一个与封装结构合成整体的有源冷却装置。
2.权利要求1的装置,其中所述有源冷却装置是一个具有一个冷面和一个热面的Peltier器件。
3.权利要求1的装置,其中所述Peltier器件的冷面与所述CMOS图像传感器直接接触。
4.权利要求2的装置,其中所述Peltier器件与所述CMOS图像传感器之间置有一个电绝缘层。
5.权利要求1的装置,所述装置还包括一个与所述Peltier器件的热面接触的散热器。
6.权利要求2的装置,其中所述Peltier器件形成所述封装结构的底面。
7.权利要求1的装置,其中所述CMOS图像传感器具有一个基片,而所述Peltier器件的冷面与所述基片具有相同的电极性。
8.权利要求5的装置,其中所述CMOS图像传感器具有一个基片,而所述Peltier器件的热面与所述散热器具有相同的电极性。
9.权利要求8的装置,其中所述CMOS图像传感器具有一个基片,而所述Peltier器件的冷面与所述基片具有相同的电极性。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





