[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置

摘要

在钨和硅同时露出的半导体衬底清洗工序中,同时获得高的清洗性能和高的硅腐蚀防止效果。并且与此同时,获得高的钨腐蚀防止效果。在作为钨系构件的钨膜31和作为硅系构件的多晶硅膜11同时露出来的半导体衬底1的清洗工序中,使用含有氢氧化物、硅腐蚀防止剂、有机化合物和作为钨腐蚀防止剂的水溶性有机溶剂的清洗液。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征是，具有使用含有：氢氧化物；水溶性有机溶剂；和以下述通式(I)或(II)表示的化合物的清洗液的半导体衬底的清洗工序。HO-{(EO)x-(PO)y}z-H..(I)R-[{(EO)x-(PO)y}z-H]m..(II)(上式中，EO表示氧乙烯基、PO表示氧丙烯基、R表示乙醇或氨络的除去了氢氧基中氢原子的残基、或表示氨基酸的除去了氢原子的残基。x，y表示满足x/(x＋y)＝0.05～0.4的整数，z，m表示正整数)。