[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置

权利要求书

1、一种半导体装置的制造方法，其特征是，具有使用含有：

氢氧化物；

水溶性有机溶剂；和

以下述通式(I)或(II)表示的化合物的清洗液的半导体衬底的清洗工序。

HO-{(EO)x-(PO)y}z-H    ..(I)

R-[{(EO)x-(PO)y}z-H]m  ..(II)

(上式中，EO表示氧乙烯基、PO表示氧丙烯基、R表示乙醇或氨络的除去了氢氧基中氢原子的残基、或表示氨基酸的除去了氢原子的残基。x，y表示满足x/(x＋y)＝0.05～0.4的整数，z，m表示正整数)。

2、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，上述清洗工序所用的清洗液进而含有：具有至少一个巯基的有机化合物；具有至少两个氢氧基的有机化合物；以及具有至少一个氢氧基和至少一个羧基的有机化合物之中至少一种有机化合物。

3、一种半导体装置的制造方法，其特征是，具有使用含有：

氢氧化物；以及

具有至少一个巯基的有机化合物，具有至少两个氢氧基的有机化合物、和具有至少一个氢氧基及至少一个羧基的有机化合物之中至少一种有机化合物的清洗液的半导体衬底清洗工序。

4、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，在上述半导体衬底上同时露出钨系构件和硅系构件的状态下，进行上述清洗工序。

5、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是：

还具有：

在上述半导体衬底上层叠形成绝缘膜、多晶硅膜、阻挡层金属和钨膜的工序；

在上述钨膜上形成第1抗蚀剂图形的工序；

将上述第1抗蚀剂图形作为掩模，用干式刻蚀处理上述多晶硅膜、阻挡层金属和钨膜而形成布线图形的工序；以及

除去上述抗蚀剂图形的工序，

经过以上工序后，进行上述清洗工序。

6、根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征是：

还具有：

在上述布线图形和上述布线图形周边的上述绝缘膜上形成第2抗蚀剂图形的工序；

将上述第2抗蚀剂图形作为掩模，向上述半导体衬底进行离子注入的工序；以及

除去上述抗蚀剂图形的工序，

经过以上工序后，进行上述清洗工序。

7、根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征是：

还具有：

在上述半导体衬底上形成第1绝缘膜的工序；

在上述第1绝缘膜上形成层叠多晶硅膜、阻挡层金属和钨膜的布线图形的工序；

在上述布线图形上形成第2绝缘膜之后，在上述第2绝缘膜上形成第1抗蚀剂图形的工序；

将上述第1抗蚀剂图形作为掩模，通过干式刻蚀处理形成从上述第2绝缘膜表面到上述布线图形的连接孔的工序；以及

除去上述抗蚀剂图形的工序，

经过以上工序后，进行上述清洗工序。

8、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是，在上述半导体衬底上露出至少两种类型硅系构件的状态下，进行上述清洗工序。

9、根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征是：

还具有：

在上述半导体衬底上形成第1绝缘膜的工序；

在上述第1绝缘膜上形成层叠多晶硅膜、阻挡层金属和钨膜的布线图形的工序；

在上述布线图形和上述第1绝缘膜上形成第2绝缘膜后，在上述第2绝缘膜上形成抗蚀剂图形的工序；

将上述抗蚀剂图形作为掩模，形成从上述第2绝缘膜表面到上述布线图形的第1连接孔和从上述第2绝缘膜表面到上述第1绝缘膜的第2连接孔的工序；以及

除去上述抗蚀剂图形的工序，

经过以上工序后，进行上述清洗工序。