[发明专利]化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法无效
| 申请号： | 01111233.6 | 申请日： | 2001-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1316546A | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | 酒井士郎;北原宏一;高松勇吉;森勇次 | 申请（专利权）人： | 日本派欧尼股份株式会社;NPS株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘志平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；以及，一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行，其中，所述圆形加热器的相对前述气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。还公开了一种使用上述化学汽相淀积设备的化学汽相淀积方法。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 汽相淀积 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；以及，一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行，其中，所述圆形加热器的相对前述气体流的上游部的加热密度(heatingdensity)大于该加热器的其余部分的加热密度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
