[发明专利]化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法

权利要求书

1、一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；以及，一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行，其中，所述圆形加热器的相对前述气体流的上游部的加热密度(heatingdensity)大于该加热器的其余部分的加热密度。

2、一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行；一透气的多微孔部，它设置在朝向所述基层从而与所述基层相平行的反应管壁面上；以及，一气体入口，它用于通过上述多微孔部引入不含源气体的气体，其中，所述圆形加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。

3、如权利要求1的化学汽相淀积设备，其特征在于，所述圆形加热器的上游部的加热密度与该加热器的其余部分的加热密度之比为1.1-2∶1。

4、如权利要求2的化学汽相淀积设备，其特征在于，所述圆形加热器的上游部的加热密度与该加热器的其余部分的加热密度之比为1.1-2∶1。

5、如权利要求1的化学汽相淀积设备，其特征在于，所述圆形加热器的上游部为扇形部分，因此，该扇形部的边缘线与对应于侧反应管的中轴线的线会形成±(40至90)°的角。

6、如权利要求2的化学汽相淀积设备，其特征在于，所述圆形加热器的上游部为扇形部分，因此，该扇形部的边缘线与对应于侧反应管的中轴线的线会形成±(40至90)°的角。

7、一种化学汽相淀积方法，它包括：通过设置成基本上与放置在侧反应管中基座上的基层相平行的气体入口提供含有源气体的气体，同时用加热器对所述基层进行加热，从而在该基层上汽相形成半导体膜，其中，所述加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。

8、一种化学汽相淀积方法，它包括：通过设置成基本上与放置在侧反应管中基座上的基层相平行的气体入口提供含有源气体的气体，同时用加热器对所述基层进行加热；以及，通过设置在朝向所述基层从而与该基层相平行的反应管壁面上的多微孔部将不含源气体的气体引进反应管，从而在该基层上汽相形成半导体膜，其中，所述加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。

9、如权利要求7的化学汽相淀积方法，其特征在于，所述圆形加热器的上游部的加热密度与该加热器的其余部分的加热密度之比为1.1-2∶1。

10、如权利要求8的化学汽相淀积方法，其特征在于，所述圆形加热器的上游部的加热密度与该加热器的其余部分的加热密度之比为1.1-2∶1。

11、如权利要求7的化学汽相淀积方法，其特征在于，所述圆形加热器的上游部为扇形部分，因此，该扇形部的边缘线与对应于侧反应管的中轴线的线形成一个±(40至90)°的角。

12、如权利要求8的化学汽相淀积设备，其特征在于，所述圆形加热器的上游部为扇形部分，因此，该扇形部的各边缘线与对应于侧反应管的中轴线的线形成一个±(40至90)°的角。