[发明专利]高高宽比开口的蚀刻方法

摘要

本发明是关于一种高高宽比开口的蚀刻方法,该蚀刻方法包括以具有高分子反应的电浆蚀刻条件非均向蚀刻材质层来形成开口,高分子反应会在该开口的侧壁及该开口底部形成高分子薄膜,此高分子薄膜会减缓电浆的蚀刻速率甚至发生蚀刻停止的情形,以另一电浆蚀刻条件非均向蚀刻位于开口底部的高分子薄膜至将位于该开口底部的高分子薄膜完全剥除为止,再继续以原来的电浆蚀刻条件继续非均向蚀刻此材质层至完成开口的蚀刻。本发明可以有效防止停止蚀刻的情形发生,更不会有蚀刻不干净的现象。

主权项

1、一种高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其包括：提供一基底；形成第一氧化硅层于基底之上；形成氮化硅层于第一氧化硅层之上；形成第二氧化硅层于氮化硅层之上；形成光阻层于第二氧化硅层之上；图案化光阻层形成一光阻开口，光阻开口暴露出下方的部分第二氧化硅层；以图案化知光阻层为罩幕，以第一电浆非均向蚀刻光阻开口暴露出的第二氧化硅层；以图案化知光阻层为罩幕，以第一电浆非均向蚀刻氮化硅层，会于开口底部及开口侧壁形成高分子薄膜，位于开口底部及开口侧壁形成高分子薄膜会减缓第一电浆对氮化硅层的蚀刻速率；一第二电浆非均向蚀刻去除位于开口底部的高分子薄膜层；以及以基底为终止层，以第一电浆继续非均向蚀刻剩余的氮化硅层及第一氧化硅层。