[发明专利]高高宽比开口的蚀刻方法

权利要求书

1、一种高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其包括：

提供一基底；

形成第一氧化硅层于基底之上；

形成氮化硅层于第一氧化硅层之上；

形成第二氧化硅层于氮化硅层之上；

形成光阻层于第二氧化硅层之上；

图案化光阻层形成一光阻开口，光阻开口暴露出下方的部分第二氧化硅层；

以图案化知光阻层为罩幕，以第一电浆非均向蚀刻光阻开口暴露出的第二氧化硅层；

以图案化知光阻层为罩幕，以第一电浆非均向蚀刻氮化硅层，会于开口底部及开口侧壁形成高分子薄膜，位于开口底部及开口侧壁形成高分子薄膜会减缓第一电浆对氮化硅层的蚀刻速率；

一第二电浆非均向蚀刻去除位于开口底部的高分子薄膜层；以及

以基底为终止层，以第一电浆继续非均向蚀刻剩余的氮化硅层及第一氧化硅层。

2、根据权利要求1所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中第一电浆包括八氟化四碳/一氧化碳气体。

3、根据权利要求1所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中第二电浆包括含氟气体、氩气及氧气。

4、根据权利要求3所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中氟气体包括三氟甲烷。

5、根据权利要求3所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中氟气体与氩气的比例为0.05至0.5。

6、根据权利要求3所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中氧气与氩气的比例为0.05至0.5。

7、根据权利要求3所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中氟气体与氩气的比例为0.1至0.3。

8、根据权利要求3所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中氧气与氩气的比例为0.1至0.3。

9、一种高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其包括：

以具有高分子反应的第一电浆非均向蚀刻材质层来形成开口，高分子反应会在开口的侧壁及开口底部形成高分子薄膜；

以第二电浆非均向蚀刻位于开口底部的高分子薄膜至将位于开口底部的高分子薄膜完全剥除为止；

以第一电浆继续非均向蚀刻材质层至完成开口的蚀刻。

10、根据权利要求第9所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中第一电浆包括八氟化四碳/一氧化碳气体。

11、根据权利要求第9所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中第二电浆包含氟气体、氩气及氧气。

12、根据权利要求第11所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中氟气体包括三氟甲烷。

13、根据权利要求第11所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中氟气体与氩气的比例为0.05至0.5。

14、根据权利要求第11所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其特征在于：其中氧气与氩气的比例为0.05至0.5。

15、根据权利要求第11所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其中氟气体与氩气的比例为0.1至0.3。

16、根据权利要求第11所述的高高宽比开口的蚀刻方法，其中氧气与氩气的比例为0.1至0.3。