[发明专利]一种金属层间介电层的制造方法有效
| 申请号： | 01110119.9 | 申请日： | 2001-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1377062A | 公开（公告）日： | 2002-10-30 |
| 发明（设计）人： | 施泓林;朱赞锜;阮仲杰 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露一种可改善高密度等离子体化学气相沉积法所成形的金属层间介电层均匀度控制不佳的情况的制造方法,首先是在制作有多个内连导线的半导体基底上,顺应性形成一均匀性与附着性佳的薄PE－TEOS。而后,以高密度等离子体化学气相法于第一氧化层上形成第二氧化层,并填入那些内连导线间的间隙。最后,再以等离子体增强化学气相沉积法于第二氧化层上形成第三氧化层。根据本发明的方法,不仅可达到极佳的间隙填充效果,可改善介电层品质不佳的情形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 层间介电层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属层间介电层的制造方法，适用于制作有多条内连导线的半导体基底上，该制造方法包括下列步骤：于上述半导体基底与内连导线上，形成一顺应性覆盖(conformal)的第一氧化层；以高密度等离子体化学气相沉积法(HDPCVD)于该第一氧化层上形成第二氧化层；以及于该第二氧化层上形成第三氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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