[发明专利]以接触孔模型为基础的光学邻近校正法有效
| 申请号： | 01103097.6 | 申请日： | 2001-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1368661A | 公开（公告）日： | 2002-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陈明瑞;林金隆 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种以接触孔模型为基础的光学邻近校正法。此方法是利用相同间距、不同线宽的一系列测试图案所收集的数据,来建立接触孔模型,以校正邻近效应所造成的线宽偏差现象。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 模型 基础 光学 邻近 校正 | ||
【主权项】：
1.一种以接触孔模型为基础的光学邻近校正法，包括：提供一光掩模；形成以不同的线宽、相同的间距所建立的多个方形测试图案在该光掩模上，其中，该线宽为该些方形测试图案的边长，该间距为该些方形测试图案其中的一个方形图案的一边到该方形图案邻近的另一方形图案的对应边的距离；以该光掩模在一已涂布光致抗蚀剂层的一晶片上进行曝光与显影制造工艺，形成不同线宽、相同间距的多个图案于该晶片上；测量该晶片上该些图案的线宽；比较该晶片上该些图案的线宽与该光掩模上该些方形测试图案的线宽；以及建立一接触孔模型，待正式进行接触孔的光刻制造工艺时，选择符合预设线宽的光掩模上该些方形测试图案来制作。
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