[发明专利]以接触孔模型为基础的光学邻近校正法

权利要求书

1.一种以接触孔模型为基础的光学邻近校正法，包括：

提供一光掩模；

形成以不同的线宽、相同的间距所建立的多个方形测试图案在该光掩模上，其中，该线宽为该些方形测试图案的边长，该间距为该些方形测试图案其中的一个方形图案的一边到该方形图案邻近的另一方形图案的对应边的距离；

以该光掩模在一已涂布光致抗蚀剂层的一晶片上进行曝光与显影制造工艺，形成不同线宽、相同间距的多个图案于该晶片上；

测量该晶片上该些图案的线宽；

比较该晶片上该些图案的线宽与该光掩模上该些方形测试图案的线宽；以及

建立一接触孔模型，待正式进行接触孔的光刻制造工艺时，选择符合预设线宽的光掩模上该些方形测试图案来制作。

2.一种以接触孔模型为基础的光学邻近校正法，包括：

提供一光掩模；

形成一第一组测试图案在该光掩模上，该第一组测试图案有多个不同的线宽、相同的间距所组成的方形图案，其中，该线宽为该些方形图案的边长，该间距为该些方形图案其中的一个方形图案的一边到该方形图案邻近的另一方形图案的对应边的距离；

形成一第二组测试图案在该光掩模上，该第二组测试图案有多个不同线宽、相同间距所组成的方形图案，且该第二组测试图案与该第一组测试图案的不同处只有间距不同；

形成多组测试图案在该光掩模上，且该些组测试图案每组相互不同处为间距不同；

以该光掩模在一已涂布光致抗蚀剂层的一晶片上进行曝光、显影制造工艺，形成不同线宽的多个图案于该晶片上；

测量该晶片上该些图案的线宽；

比较该晶片上该些图案的线宽与该光掩模上该些方形测试图案的线宽；以及

建立一接触孔模型，待正式进行接触孔的光刻制造工艺时，选择符合预设线宽的光掩模上该些方形测试图案来制作。

3.一种以接触孔模型为基础的光学邻近校正法，包括：

提供一光掩模；

形成以不同的线宽、相同的间距所建立的多个方形测试图案在该光掩模上，其中该线宽为该些方形测试图案的边长，该间距为该些方形测试图案间的最短距离；

以该光掩模在一已涂布光致抗蚀剂层的一晶片上进行曝光、显影制造工艺，形成不同线宽的多个图案于该晶片上；

测量该晶片上该些图案的线宽；

比较该晶片上该些图案的线宽与该光掩模上该些方形测试图案的线宽；以及

建立一接触孔模型，待正式进行接触孔的光刻制造工艺时，选择符合预设线宽的光掩模上该些方形测试图案来制作。

4.如权利要求3所述的以接触孔模型为基础的光学邻近校正法，其中该光掩模上该些方形测试图案的该间距与该线宽呈多个比例，该些比例称为间距比。

5.如权利要求4所述的以接触孔模型为基础的光学邻近校正法，其中该光掩模上该些方形测试图案所使用的该些比例包括1∶0.8，1∶1，1∶1.2，1∶1.4，1∶1.6，1∶1.8，1∶2，1∶2.4，1∶2.8，1∶3.4，1∶4，1∶5，1∶6。