[发明专利]使用超临界二氧化碳法从衬底上去除光刻胶及残渣无效
申请号: | 00815082.6 | 申请日: | 2000-11-01 |
公开(公告)号: | CN1384972A | 公开(公告)日: | 2002-12-11 |
发明(设计)人: | W·H·穆勒;M·A·比伯格;P·E·施林 | 申请(专利权)人: | 东京威力科创股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/306;G03F7/42;B08B7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 卢新华,谭明胜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种从衬底上去除光刻胶和残渣的方法,它起始于保持超临界二氧化碳、胺和溶剂与所述衬底接触,使得所述胺和溶剂至少部分溶解光刻胶和残渣。优选地,所述胺是叔胺。优选地,所述溶剂选自DMSO、EC、NMP、乙酰基丙酮、BLO、醋酸、DMAC、PC和它们的混合物。然后,把光刻胶和残渣从衬底附近去除。优选地,该方法继续冲洗步骤,其中,衬底在超临界二氧化碳和冲洗剂中冲洗。优选地,冲洗剂选自水、醇、二者的混合物以及丙酮。在一种供选择的实施方案中,胺和溶剂用含水氟化物代替。 | ||
搜索关键词: | 使用 临界 二氧化碳 衬底 去除 光刻 残渣 | ||
【主权项】:
1.一种处理衬底的方法,它包括下列步骤:a.保持超临界二氧化碳和含水氟化物与衬底接触,所述衬底具有承载选自光刻胶、光刻胶残渣、蚀刻残渣和它们的组合的材料的二氧化硅表面,使得含水氟化物从所述材料掏蚀二氧化硅表面,从而使所述材料变成被掏蚀的材料;b.保持水和超临界二氧化碳与被掏蚀的材料接触,使得被掏蚀的材料与二氧化硅表面分离,从而使被掏蚀的材料变成被分离的材料;和c.从衬底附近去除被分离的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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