[发明专利]使用超临界二氧化碳法从衬底上去除光刻胶及残渣无效

专利信息
申请号: 00815082.6 申请日: 2000-11-01
公开(公告)号: CN1384972A 公开(公告)日: 2002-12-11
发明(设计)人: W·H·穆勒;M·A·比伯格;P·E·施林 申请(专利权)人: 东京威力科创股份有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/306;G03F7/42;B08B7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 卢新华,谭明胜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种从衬底上去除光刻胶和残渣的方法,它起始于保持超临界二氧化碳、胺和溶剂与所述衬底接触,使得所述胺和溶剂至少部分溶解光刻胶和残渣。优选地,所述胺是叔胺。优选地,所述溶剂选自DMSO、EC、NMP、乙酰基丙酮、BLO、醋酸、DMAC、PC和它们的混合物。然后,把光刻胶和残渣从衬底附近去除。优选地,该方法继续冲洗步骤,其中,衬底在超临界二氧化碳和冲洗剂中冲洗。优选地,冲洗剂选自水、醇、二者的混合物以及丙酮。在一种供选择的实施方案中,胺和溶剂用含水氟化物代替。
搜索关键词: 使用 临界 二氧化碳 衬底 去除 光刻 残渣
【主权项】:
1.一种处理衬底的方法,它包括下列步骤:a.保持超临界二氧化碳和含水氟化物与衬底接触,所述衬底具有承载选自光刻胶、光刻胶残渣、蚀刻残渣和它们的组合的材料的二氧化硅表面,使得含水氟化物从所述材料掏蚀二氧化硅表面,从而使所述材料变成被掏蚀的材料;b.保持水和超临界二氧化碳与被掏蚀的材料接触,使得被掏蚀的材料与二氧化硅表面分离,从而使被掏蚀的材料变成被分离的材料;和c.从衬底附近去除被分离的材料。
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