[发明专利]使用超临界二氧化碳法从衬底上去除光刻胶及残渣

权利要求书

1.一种处理衬底的方法，它包括下列步骤：

a.保持超临界二氧化碳和含水氟化物与衬底接触，所述衬底具有承载选自光刻胶、光刻胶残渣、蚀刻残渣和它们的组合的材料的二氧化硅表面，使得含水氟化物从所述材料掏蚀二氧化硅表面，从而使所述材料变成被掏蚀的材料；

b.保持水和超临界二氧化碳与被掏蚀的材料接触，使得被掏蚀的材料与二氧化硅表面分离，从而使被掏蚀的材料变成被分离的材料；和

c.从衬底附近去除被分离的材料。

2.权利要求1的方法，其中，含水氟化物选自含水氟化铵、氢氟酸和它们的混合物。

3.权利要求2的方法，其中，所述含水氟化物是含水氟化铵。

4.权利要求1的方法，其中，从衬底附近去除被分离的材料的步骤包括使超临界二氧化碳流过所述衬底。

5.权利要求1的方法，它还包括使用溶剂至少部分溶解被掏蚀材料的步骤。

6.权利要求5的方法，其中，所述溶剂选自BLO、DMSO、醋酸、EC、DMAC、NMP和它们的混合物。

7.权利要求6的方法，其中，所述溶剂选自BLO、DMSO、醋酸、EC和它们的混合物。

8.权利要求7的方法，其中，所述溶剂是BLO。

9.权利要求1的方法，它还包括使用溶剂至少部分溶解被分离材料的步骤。

10.权利要求9的方法，其中，所述溶剂选自BLO、DMSO、醋酸、EC、DMAC、NMP和它们的混合物。

11.权利要求10的方法，其中，所述溶剂选自BLO、DMSO、醋酸、EC和它们的混合物。

12.权利要求11的方法，其中，所述溶剂是BLO。

13.权利要求1的方法，它还包括用超临界二氧化碳和冲洗剂冲洗衬底的步骤。

14.权力要求13的方法，其中，所述冲洗剂包含水。

15.权利要求13的方法，其中，所述冲洗剂包含醇。

16.权利要求15的方法，其中，所述醇包括乙醇。

17.权利要求13的方法，其中，所述冲洗剂包含丙酮。

18.权利要求1的方法，其中，所述衬底包括低介电常数材料。

19.权利要求18的方法，其中，所述低介电常数材料包括旋压聚合物。

20.权利要求18的方法，其中，所述低介电常数材料包括C-SiO₂材料。

21.一种从二氧化硅表面去除材料的方法，所述材料选自光刻胶、光刻胶残渣、蚀刻残渣和它们的组合物，该方法包括下列步骤：

a.保持超临界二氧化碳和含水氟化物与所述材料和二氧化硅表面接触，使得含水氟化物从所述材料掏蚀二氧化硅表面；

b.保持水和超临界二氧化碳与所述材料接触，使得所述材料从二氧化硅表面分离；和

c.从二氧化硅表面附近去除所述材料。

22.一种处理衬底的方法，它包括下列步骤：

a.保持超临界二氧化碳、胺和溶剂与衬底表面上的材料接触，所述材料选自光刻胶、光刻胶残渣、蚀刻残渣和它们的混合物，使得所述胺和所述溶剂至少部分溶解所述材料；和

b.从所述衬底附近去除所述材料。

23.权利要求2 2的方法，其中，所述胺包括仲胺。

24.权利要求2 2的方法，其中，所述胺包括叔胺。

25.权利要求24的方法，其中，所述叔胺选自2-甲基氨基乙醇、PMDETA、三乙醇胺、三乙胺和它们的混合物。

26.权利要求25的方法，其中，所述胺选自2-甲基氨基乙醇、PMDETA、三乙醇胺和它们的混合物。

27.权利要求22的方法，其中，所述溶剂选自DMSO、EC、NMP、乙酰基丙酮、BLO、醋酸、DMAC、PC和它们的混合物。

28.权利要求22的方法，其中，所述胺选自仲胺、叔胺、二异丙胺、三异丙胺、二乙二醇胺和它们的混合物。