[发明专利]具有低开启电压的磷化铟肖特基装置及其制造方法无效
| 申请号： | 00808103.4 | 申请日： | 2000-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1352807A | 公开（公告）日： | 2002-06-05 |
| 发明（设计）人： | A·E·施米茨;R·H·沃尔登;M·卢伊;M·K·于 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷,彭益群 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种肖特基二极管及其制造方法,该二极管在磷化铟(InP)材料(1)上制成,并利用了一个肖特基层(9),其中包括InxAl1－xAs,X>0.6,或者包括一个厚度变化的超晶格,在超晶格的连续周期中含有渐少的GaInAs和渐多的AlInAs,当最后一个周期(邻近阳极金属)内的AlInAs比例超过80%时,AlInAs即停止增加。该法制成的基于磷化铟的肖特基二极管具有低的开启电压,并可以通过调整制造参数在一定的范围内预先设置其数值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 开启 电压 磷化 铟肖特基 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，包括阴极接触层与相邻于一个肖特基阳极金属物的半导体肖特基层，其中：所述肖特基层是一个具有多个层周期的超晶格，从距阴极接触层最近的第一个层周期，到距阳极金属物最近的最后一个层周期，每一个层周期都具有一厚度，并且包括一个具有一厚度的第一子层GaInAs，以及一个具有一厚度的第二子层AlInAs，而且，每一个层周期具有的GaInAs对AlInAs的一定比例；在相邻层周期之间，第一与第二子层的厚度是变化的，从而GaInAs对AlInAs的比例在相邻周期之间是逐步变化的；并且在所述最后一个层周期中AlInAs的厚度少于所述最后一个层周期厚度的80％。
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