[发明专利]具有低开启电压的磷化铟肖特基装置及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，包括阴极接触层与相邻于一个肖特基阳极金属物的半导体肖特基层，其中：

所述肖特基层是一个具有多个层周期的超晶格，从距阴极接触层最近的第一个层周期，到距阳极金属物最近的最后一个层周期，每一个层周期都具有一厚度，并且包括一个具有一厚度的第一子层GaInAs，以及一个具有一厚度的第二子层AlInAs，而且，每一个层周期具有的GaInAs对AlInAs的一定比例；

在相邻层周期之间，第一与第二子层的厚度是变化的，从而GaInAs对AlInAs的比例在相邻周期之间是逐步变化的；并且

在所述最后一个层周期中AlInAs的厚度少于所述最后一个层周期厚度的80％。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其中，每个层周期由所述第一与第二子层所构成，并且所述第一与第二子层都与InP晶格匹配。

3.如权利要求1或2所述的肖特基二极管，其中，后续第一子层的厚度与后续第二子层的厚度是呈反向变化的，从而使得从第一个层周期到最后一个层周期相继周期之间的GaInAs对AlInAs的比例也作相似的变化。

4.如以上任何一项权利要求所述的肖特基二极管，其中，装置的肖特基阳极金属物通过一个架空桥与到外部电路的金属物相连。

5.如以上任何一项权利要求所述的肖特基二极管，其中，在第一个层周期的范围内，第一子层的厚度大约是第一层周期厚度的10％，而第二子层的厚度大约是第一层周期的90％，并且，在最后一个层周期的范围内，第一子层的厚度大约是最后一个层周期厚度的30％，而第二子层的厚度则是最后一个层周期厚度的70％。

6.如权利要求1至4任一项所述的肖特基二极管，其中，在第一个层周期的范围内，第一子层的厚度大约是第一层周期厚度的10％，而第二子层的厚度大约是第一层周期的90％，并且，在最后一个层周期的范围内，第一子层的厚度大约是最后一个层周期厚度的50％。

7.如权利要求1至4任一项所述的肖特基二极管，其中，在第一个层周期的范围内，第一子层的厚度大约是第一层周期厚度的10％，而第二子层的厚度大约是第一层周期的90％，并且，在最后一个层周期的范围内，第一子层的厚度大约是最后一个层周期厚度的70％，而第二子层的厚度则是最后一个层周期厚度的30％。

8.如以上任何一项权利要求所述的肖特基二极管，其中，层周期包括与InP晶格匹配的GaInAs子层和与InP晶格匹配的AlInAs子层。

9.一种肖特基二极管，包括：

一个InP基片；

一个肖特基阳极金属物；以及

一个与肖特基阳极金属物相邻的半导体肖特基层，其中，所述肖特基层主要是In_XAl_1-XAs，X大于0.6。

10.如权利要求9所述的肖特基二极管，其中，所述肖特基阳极金属物通过一个架空桥与到外部电路的金属物相连。

11.如权利要求9或10所述的肖特基二极管，其中X大约为0.7。

12.一种肖特基二极管的制造方法，包括以下步骤：

准备一InP基片；

建立基片之上的GaInAs掺杂阴极接触层；

在阴极接触层之上建立一个半导体肖特基层，该肖特基层是：

(a)一个截短的GaInAs和AlInAs厚度变化的超晶格，或者

(b)主要是In_XAl_1-XAs，X大于0.6；以及

沉积一个肖特基层的金属阳极接触。

13.如权利要求12所示的方法，其中，所述GaInAs和AlInAs与InP晶格匹配。