[发明专利]半导体器件的制造方法及其制造生产线无效
| 申请号： | 00806279.X | 申请日： | 2000-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1347566A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 井上准一;浅川辉雄;杉山一彦 | 申请（专利权）人： | 东京电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可对应多种晶片尺寸的半导体器件的制造方法及其制造生产线,该半导体器件的制造生产线使用6英寸(150±3mmSEAJ规格)以下直径的半导体晶片作为半导体衬底,对该半导体衬底实施一连串的处理,在半导体衬底上形成集成电路,制造生产线由规格相同的2个子生产线、这些子生产线各自包括的成膜装置、图形曝光装置、腐蚀装置和测试装置的一连串处理装置构成,在至少一个图形曝光装置和一个腐蚀装置中,可进行0.3μm以下的微细加工,而且具有在所述两个子生产线之间相互运送处理中途的半导体衬底的机构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 及其 生产线 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：包含有在半导体衬底上形成的构成部位的最小加工尺寸为0.3μm以下的加工工序，使用具有6英寸以下直径的半导体晶片用作所述半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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