[发明专利]基体的电解镀覆方法有效
| 申请号： | 00805261.1 | 申请日： | 2000-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1344334A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | P·塞缪尔森 | 申请（专利权）人： | 肯桑特拉沃克斯塔茨股份公司 |
| 主分类号： | C25D15/02 | 分类号： | C25D15/02;F16J9/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及采用陶瓷铬层对基体,尤其是活塞环进行电解镀覆的方法,所述基体布置在与电压相连的电极上,用于镀覆基体的铬离子存在于电解质中。另外,所述电解质含有以离子形式存在其中的结晶载体结构,所述载体结构起作为存在于电解质中的铬离子的载体作用,并且采用所述方法进入在基体上形成的陶瓷铬层中。本发明也涉及镀覆至基体,尤其是活塞环上的陶瓷铬层,而且,其特征在于所述铬层采用上述方法形成并且包含结晶载体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基体 电解 镀覆 方法 | ||
【主权项】：
1.采用陶瓷铬层对基体，特别是活塞环进行电解镀覆的方法，所述基体布置在与电压连接的电极处，用于镀覆基体的铬离子存在于电解质中，所述方法的特征在于所述电解质含有以离子形式存在电解质中的结晶载体结构，所述载体结构起作为存在于电解质中的铬离子的载体作用，而且，所述载体结构借助所述方法进入在基体上形成的陶瓷铬层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肯桑特拉沃克斯塔茨股份公司，未经肯桑特拉沃克斯塔茨股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00805261.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种冷热箱及其应用
- 下一篇：CDMA无线电通信系统中干扰测量时码的保留
