[发明专利]用于汽相沉积的截头衬托器无效
| 申请号： | 00804723.5 | 申请日： | 2000-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1143907C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 格伦·S·所罗门;戴维·J·米勒;泰特苏佐·于达 | 申请（专利权）人： | CBL技术公司;松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B25/14;C30B25/02;C23C16/458;C30B25/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 严舫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种汽相沉积系统，包括一个或多个用来促进反应剂气体向下游通过的槽道装置，一汽相沉积系统的反应器包括一个或多个槽道来促使反应剂气体在衬托器斜面区段下面通过。一衬托器，在进行基片上外延生长过程中安置在反应器中，它包括一截头的斜面区段和一截头侧面。基片可与截头斜面段的下端缘对齐重合，以免化学沉积到基片上游的一些表面上。衬托器的一个或多个槽道可促使在反应器内的反应剂气体向下游通过。还公开了汽相沉积的方法和促使反应器内反应剂气体向下游通过的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 衬托 | ||
【主权项】：
1.一种在基片上汽相沉积材料的方法，它包括以下步骤：(a)提供基片，其中基片包括基片的上端缘和基片的下端缘；(b)将基片定位在衬托器的一斜面区段上，该衬托器包括一个底侧面和一个截头的侧面，截头侧面的位置与底侧面成某一角度，衬托器安置在反应器内，该反应器包括一入口用于将反应剂气体流引入反应器中，其中斜面区段的斜面朝向反应剂气体流，该斜面区段包括一斜面区段的上端缘和一斜面区段的下端缘，该斜面区段的下端缘相对于反应剂气体流位于斜面区段上端缘的上游，该截头侧面包括一截头侧面的上端缘和截头侧面的下端缘，该截头侧面的上端缘相对于反应剂气体流是处于截头侧面下端缘的上游，其中斜面区段的下端缘和截头侧面的上端缘相重合而限定了鼻端部；(c)在反应器内安置衬托器；以及(d)向反应器中引入反应器气体流。
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