[发明专利]激光二极管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 00802491.X | 申请日： | 2000-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1336027A | 公开（公告）日： | 2002-02-13 |
| 发明（设计）人： | J·卢夫特;B·阿克林;J·赫尔莱恩;K·－H·施莱雷斯;W·思佩斯;Z·斯皮卡;C·汉克;L·科尔特;K·埃贝林;M·贝林格 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑立柱,张志醒 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有激光二极管芯片(4)的一种激光二极管装置,此激光二极管芯片(4)是装入到为光发射二极管所安排的外壳(1)中的,在此激光二极管芯片(4)具有作为多射束激光二极管(L1,L2)的一种构造,多射束激光二极管(L1,L2)的连接接点是与LED外壳的接头连接的。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.具有高功率激光二极管芯片的激光二极管装置，其中-高功率激光二极管芯片(4)具有作为多射束激光二极管(L1，L2)的构造，在半导体衬底(n)上此多射束激光二极管(L1，L2)拥有带有各自至少一个激活层(J1，J2)的至少两个相叠布置的激光器堆(L1，L2)和电连接接点(25，26)，在这些激光器堆(L1，L2)之间布置了一个隧道结(T)，-高功率激光二极管芯片(4)是安装在导体带的一个连接件(2a，10)上的，-电连接接点(25，26)是与导体带的连接件(2a，2b，10，11)导电连接的，和-高功率激光二极管芯片(4)和至少部分的连接件(2a，2b，10，11)是用一种可透过射束的反应树脂灌封的。
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