[发明专利]激光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.具有高功率激光二极管芯片的激光二极管装置，其中

-高功率激光二极管芯片(4)具有作为多射束激光二极管(L1，L2)的构造，在半导体衬底(n)上此多射束激光二极管(L1，L2)拥有带有各自至少一个激活层(J1，J2)的至少两个相叠布置的激光器堆(L1，L2)和电连接接点(25，26)，在这些激光器堆(L1，L2)之间布置了一个隧道结(T)，

-高功率激光二极管芯片(4)是安装在导体带的一个连接件(2a，10)上的，

-电连接接点(25，26)是与导体带的连接件(2a，2b，10，11)导电连接的，和

-高功率激光二极管芯片(4)和至少部分的连接件(2a，2b，10，11)是用一种可透过射束的反应树脂灌封的。

2.按权利要求1的激光二极管装置，其中高功率激光二极管芯片具有在1ns和100ns之间的，特别优先在1ns和25ns之间的脉冲宽度。

3.按权利要求1或2的激光二极管装置，其中两个相邻射束发射极之间的距离位于在含2μm和含3μm之间。

4.按权利要求1至3之一的激光二极管装置，其中用具有缺口的可表面安装的外壳体(1)配备连接件(2a，2b)，在此缺口中至少分别露出连接件(2a，2b)的局部范围，在此缺口中高功率激光二极管芯片(4)是安装在连接件(2a)上的，和在此缺口中激光二极管芯片(4)是用可透过射束的反应树脂灌封的。

5.按权利要4的激光二极管装置，其中高功率激光二极管芯片(4)的发射方向平行于缺口的在其上安装了激光二极管芯片的底面来分布，并且缺口的侧壁是与底面共同构成反光器池(3)的，并且侧面是镜面化的。

6.按权利要求1至4之一的激光二极管装置，其中激光二极管芯片(4)相对于外壳是如此布置的，使得无折回地从外壳中发射多射束激光二极管(4)的输出射束(p1，p2)。

7.采用反应浇灌树脂，尤其是环氧树脂，丙烯酸树脂或硅树脂，或这些材料的混合物灌封高功率激光二极管芯片的应用，此高功率激光二极管芯片具有多射束激光二极管(L1，L2)的构造，此多射束激光二极管(L1，L2)在半导体衬底(n)上含有具有各自至少一个激活层(J1，J2)的至少两个相叠布置的激光器堆(L1，L2)，一个隧道结(T)是布置在两个相叠布置的激光器堆(L1，L2)之间的，并且此高功率激光二极管芯片是安装在导体带的一个连接件(2a，10)上的。

8.制造按权利要求4至6之一的激光二极管装置的方法，其中用具有缺口的外壳体(1)配备导体带的连接件(2a，2b)，在缺口之内在所属的连接件(2a)上安装高功率激光二极管芯片(4)，并且在此方法上随后用透明的反应树脂灌封高功率激光二极管芯片(4)。

9.制造按权利要求1至3之一的激光二极管装置的方法，其中用从荧光二极管部件技术中已知的径向外壳配备高功率激光二极管芯片(4)，在此首先将边缘发射的高功率激光二极管芯片(4)安装到连接件的一个侧面上，并且随后直接用可透过射束的反应树脂灌封。