[发明专利]有机场致发光元件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 00800151.0 申请日: 2000-02-15
公开(公告)号: CN1294834A 公开(公告)日: 2001-05-09
发明(设计)人: 川村久幸;中村浩昭;细川地潮 申请(专利权)人: 出光兴产株式会社
主分类号: H05B33/22 分类号: H05B33/22;H05B33/14;H05B33/10;C09K11/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜日新
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 驱动电压低、发光亮度高而且耐久性良好的有机EL元件及其制造方法。在带有阳极层、有机发光层和阴极层的有机场致发光元件中,在阳极层和有机发光层之间以及阴极层和有机发光层之间,设有同时含有从Ge、Sn、Zn、Cd等中选择的无机化合物和周期率表5A~8族的无机化合物的无机薄膜层,或者形成同时含有从Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg等中选择的硫族化合物等的无机化合物和周期率表5A—8族的无机化合物的阳极层或阴极层。
搜索关键词: 机场 发光 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种有机场致发光元件,至少有阳极层、有机发光层和阴极层,其特征在于:在所述阳极层和有机发光层之间以及所述阴极层和有机发光层之间、或其中一个之间设有无机薄膜层;在所述阳极层和有机发光层之间,设有作为第一无机薄膜层的无机薄膜层的情况下,使该第一无机薄膜层的中间能级为比所述有机发光层的离子化势能小的值;在所述阴极层和有机发光层之间,设有作为第二无机薄膜层的无机薄膜层的情况下,使该第二无机薄膜层的中间能级为比所述有机发光层的电子亲合力大的值;同时通过所述第一无机薄膜层的中间能级和第二无机薄膜层的中间能级或其中任何一方的中间能级来进行电荷注入。
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