[发明专利]有机场致发光元件及其制造方法

权利要求书

1．一种有机场致发光元件，至少有阳极层、有机发光层和阴极层，其特征在于：

在所述阳极层和有机发光层之间以及所述阴极层和有机发光层之间、或其中一个之间设有无机薄膜层；

在所述阳极层和有机发光层之间，设有作为第一无机薄膜层的无机薄膜层的情况下，使该第一无机薄膜层的中间能级为比所述有机发光层的离子化势能小的值；

在所述阴极层和有机发光层之间，设有作为第二无机薄膜层的无机薄膜层的情况下，使该第二无机薄膜层的中间能级为比所述有机发光层的电子亲合力大的值；

同时通过所述第一无机薄膜层的中间能级和第二无机薄膜层的中间能级或其中任何一方的中间能级来进行电荷注入。

2．如权利要求1所述的有机场致发光元件，其特征在于，所述第一无机薄膜层和第二无机薄膜层或其中任何一方的无机薄膜层包含从下述A组中选择的至少一种化合物和从B组中选择的至少一种化合物；

A组：Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg、Al、Ba、K、Li、Na、Ca、Sr、Cs、Rb的硫族化合物或它们的氮化物；

B组：周期率表5A～8族的化合物。

3．如权利要求1或2所述的有机场致发光元件，其特征在于，在所述第一无机薄膜层或第二无机薄膜层的能带隙的值为Ba，所述有机发光层的能带隙的值为Bh时，满足Ba＞Bh的关系。

4．如权利要求2或3所述的有机场致发光元件，其特征在于，所述A组的无机化合物为Si、Ge、Sn、Zn、Cd、Al和Mg的硫族化合物或其氮化物。

5．如权利要求2～4中任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于，所述B组的无机化合物为Ru、V、Mo、Re、Pd和Ir的氧化物。

6．如权利要求2～5中任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于，在所述第一和第二无机薄膜层的总量为100％原子时，所述B组的无机化合物的含量为0．1～50原子％范围内的值。

7．如权利要求1～6中任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于，所述第一和第二无机薄膜层的膜厚为1～100nm范围内的值。

8．一种有机场致发光元件，至少有阳极层、有机发光层和阴极层，其特征在于：

所述阳极层和阴极层或其中任何一方的电极层含有从下述A-1组中选择的至少一种无机化合物和从B-1组中选择的至少一种化合物；或从下述A-2组中选择的至少一种无机化合物和从B-2组中选择的至少一种化合物；

A-1组：Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg、Al、Ba、K、Li、Na、Ca、Sr、Cs、Rb的硫族化合物或它们的氮化物；

B-1组：周期率表5A～8族的无机化合物、或碳；

A-2组：Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg、Al、Ba、K、Li、Na、Ca、Sr、Cs、Rb的硫族化合物或它们的氮化物；

B-2组：周期率表5A～8族的无机化合物、Si的硫族化合物或氮化物以及碳。

9．如权利要求8所述的有机场致发光元件，其特征在于，所述阳极层和阴极层或其中一方的电极层的电阻率值为低于1Ω·cm的值。

10．如权利要求8或9所述的有机场致发光元件，其特征在于，所述A-1组或A-2组的无机化合物为Sn、In和Zn的硫族化合物或它们的氮化物。

11．如权利要求8～10中任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于，所述B-1组或B-2组的化合物为Ru、Re、V、Mo、Pd和Ir的氧化物。

12．如权利要求8～11中任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于，在所述阳极层或阴极层的总量为100原子％时，所述B-1组或B-2组的化合物含量为0．5～30原子％范围内的值。

13．如权利要求8～12中任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于，所述电极层的膜厚为1～100nm范围内的值。