[实用新型]可控硅电容器快速补偿装置无效
| 申请号： | 00261963.6 | 申请日： | 2000-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN2456353Y | 公开（公告）日： | 2001-10-24 |
| 发明（设计）人： | 彭耀斌 | 申请（专利权）人： | 彭耀斌 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18 |
| 代理公司： | 南通市科伟专利事务所 | 代理人： | 杨志京 |
| 地址： | 226200*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可控硅电容器快速补偿装置,其特征在于有一个外壳,外壳中有一个接受一相电流及电压信号的函数运算电路,函数运算电路与控制逻辑产生电路相接,控制逻辑产生电路有多路输出,各路输出分别接一识别逻辑电子门,各识别逻辑电子门分别与一个触发脉冲产生电路相连接,各触发脉冲产生电路再接一组可控硅模块,另有一三相同步电压电路与过零电压产生电路相连接,过零电压产生电路再与前述各识别逻辑电子门相连接。优点实现了无触点运行,不对电网和电力电容器产生强大的冲击,运行噪声小,寿命长,动作可靠,安装调试方便,改善了电网的运行环境,提高了供用电质量。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 电容器 快速 补偿 装置 | ||
【主权项】：
1、一种可控硅电容器快速补偿装置，其特征在于：有一个外壳，外壳中有一个接受一相电流及电压信号的函数运算电路，函数运算电路与控制逻辑产生电路相接，控制逻辑产生电路有多路输出，各路输出分别接一识别逻辑电子门，各识别逻辑电子门分别与一个触发脉冲产生电路相连接，各触发脉冲产生电路再接一组可控硅模块，另有一三相同步电压电路与过零电压产生电路相连接，过零电压产生电路再与前述各识别逻辑电子门相连接。
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