[实用新型]可控硅电容器快速补偿装置无效
| 申请号: | 00261963.6 | 申请日: | 2000-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN2456353Y | 公开(公告)日: | 2001-10-24 |
| 发明(设计)人: | 彭耀斌 | 申请(专利权)人: | 彭耀斌 |
| 主分类号: | H02J3/18 | 分类号: | H02J3/18 |
| 代理公司: | 南通市科伟专利事务所 | 代理人: | 杨志京 |
| 地址: | 226200*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 可控硅 电容器 快速 补偿 装置 | ||
1、一种可控硅电容器快速补偿装置,其特征在于:有一个外壳,外壳中有一个接受一相电流及电压信号的函数运算电路,函数运算电路与控制逻辑产生电路相接,控制逻辑产生电路有多路输出,各路输出分别接一识别逻辑电子门,各识别逻辑电子门分别与一个触发脉冲产生电路相连接,各触发脉冲产生电路再接一组可控硅模块,另有一三相同步电压电路与过零电压产生电路相连接,过零电压产生电路再与前述各识别逻辑电子门相连接。
2、根据权利要求1所述的可控硅电容器快速补偿装置,其特征在于:函数运算电路中包括一个一相线电流互感器,电流互感器经降压及稳压电路分别接二个比较器的同相输入端;另有比较电压接上述比较器的反相输入端,二个比较器的输出分别接一门电路。
3、根据权利要求2所述的可控硅电容器快速补偿装置,其特征在于:控制逻辑产生电路中有二个分别与前述门电路相接的单稳态触发器,单稳态触发器经电子开关电路接与非门电路,另有一个脉冲产生电路与上述与非门电路相连接,与非门电路接循环逻辑电路,循环逻辑电路经多个放大器输出多路控制电信号。
4、根据权利要求1或2、3所述的可控硅电容器快速补偿装置,其特征在于:过零电压产生电路中有二个分别与三相同步电压电路中的同步变压器相连接的比较器,一个比较器经反相器接一RS微分电路送出正过零脉冲A,另一比较器接一单稳态触发器并再经另一反相器后接另一微分电路送出换流脉冲A′。
5、根据权利要求4所述的可控硅电容器快速补偿装置,其特征在于:触发脉冲产生电路中有分别输入前述过零脉冲A、A′的二个与非门,与非门共同接一单稳态触发器,单稳态触发器输出放大脉冲,同时反馈给一RS触发器,RS触发器的Q、Q端分别接上述与非门的输入端。
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