[实用新型]一种新型平面薄膜冷阴极器件无效
| 申请号： | 00253239.5 | 申请日： | 2000-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN2454895Y | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 王惟彪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30 |
| 代理公司： | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型属于真空微电子和半导体技术领域,涉及一种对平面薄膜冷阴极器件的改进。包括控制栅极、绝缘层、发射层、可控制衬底,本实用新型利用衬底上直接形成的控制层来控制电子通道以达到低压控制电子发射,利用衬底的工作特性来控制电子的通与断来达到控制电子发射及发射电流大小的目的,将控制电压降低到几伏至25伏,以便于与其它半导体器件直接控制发射电流大小,而且很容易制备成矩阵结构,使得器件的造价低、可靠性提高、应用更方便、更广泛,主要适用于真空微电子器件和平板显示技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 平面 薄膜 阴极 器件 | ||
【主权项】：
1、一种新型平面薄膜冷阴极器件，它包括：控制栅极1、绝缘层2、发射层3、接触背电极5，其特征在于：还包括在发射层3的下面采用可控制衬底结构，可控制衬底包括：在发射层3的下面依次采用金属上电极4、接触背电极5、基底6、绝缘层7的结构。
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