[发明专利]薄膜晶体管的轻掺杂漏极/偏置结构的制造方法有效
| 申请号： | 00134222.3 | 申请日： | 2000-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1294411A | 公开（公告）日： | 2001-05-09 |
| 发明（设计）人： | 金慧东 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 林长安 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 薄膜晶体管的制造方法。首先在衬底上形成有源层,之后,在有源层上形成第一绝缘层。之后,在第一绝缘层上形成栅极图形,并用栅极图形作掩模给有源层进行离子轻掺杂而形成轻掺杂漏极区。用电化学聚合工艺在栅极图形表面上形成聚合物层,用淀积有聚合物层的栅极图形给有源层进行离子重掺杂而形成源级和漏极接触层。之后,第一绝缘层表面上形成覆盖栅极图形的第二绝缘层。通过绝缘层形成接触孔、并在接触孔中溅射金属材料,形成源极和漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 掺杂 偏置 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．形成薄膜晶体管的轻掺杂漏极结构所用的聚合物层的制造方法，包括以下步骤：制备其上顺序形成有有源层、覆盖有源层的绝缘层和栅极的衬底；衬底浸入含单体的电解液中；和用具有耦联到栅极的第一端和耦联到金属电极的第二端的电源产生电场，以形成包围栅极的有预定厚度的聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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