[发明专利]薄膜晶体管的轻掺杂漏极/偏置结构的制造方法有效
| 申请号： | 00134222.3 | 申请日： | 2000-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1294411A | 公开（公告）日： | 2001-05-09 |
| 发明（设计）人： | 金慧东 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 林长安 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 掺杂 偏置 结构 制造 方法 | ||
1．形成薄膜晶体管的轻掺杂漏极结构所用的聚合物层的制造方法，包括以下步骤：
制备其上顺序形成有有源层、覆盖有源层的绝缘层和栅极的衬底；
衬底浸入含单体的电解液中；和
用具有耦联到栅极的第一端和耦联到金属电极的第二端的电源产生电场，以形成包围栅极的有预定厚度的聚合物。
2．按权利要求1的方法，其中，金属电极包括衬底上形成的公共电极。
3．按权利要求1的方法，其中，用选自由Cr、Ni、Ag、Au、Zn、Sn、Cu、Fe、Al、Pt、V和C组成的金属组中的金属或其合金制造金属电极。
4．按权利要求1的方法，其中，单体溶于选自由CH2Cl2、THF、CH3CN、DMF、DMSO、丙酮和水组成的溶剂组中的溶剂中。
5．按权利要求1的方法，其中，单体选自乙烯基单体和丙烯基单体。
6．按权利要求5的方法，其中，乙烯基单体是选自由甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸酰胺、丙烯酸、丙烯睛和苯乙烯组成的材料组中的材料。
7．按权利要求5的方法，其中，丙烯基单体是丙烯基苯。
8．按权利要求1的方法，其中，聚合物是通过用己内酰胺或苯乙烯硫化物的环形开口聚合工艺形成的。
9．形成薄膜晶体管的偏置／请掺杂漏极结构的方法，包括以下步骤：
衬底上形成有源层；
衬底上淀积覆盖有源层的绝缘层；
绝缘层上形成栅极图形；
形成聚合物层，使聚合物层按预定厚度包围栅极；
用聚合物层作掩模对有源层进行离子重掺杂，和
除去聚合物层。
10．按权利要求9的方法，还包括在形成聚合物的步骤之前用栅极作掩模给有源层进行离子轻掺杂的步骤。
11．按权利要求9的方法，还包括在除去聚合物层的步骤之后，用栅极作掩模给有源层进行离子轻掺杂的步骤。
12．按权利要求9的方法，其中，形成聚合物层的步骤还包括把衬底浸入含单体的电解液中的步骤，以及用具有耦联到栅极的第一端和耦联到金属电极的第二端的电源产生电场而形成按预定厚度包围栅极的聚合物的步骤。
13．按权利要求12的方法，其中，金属电极包括衬底上形成的公共电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社，未经三星SDI株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/00134222.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
