[发明专利]溅镀清洗室的晶座设计及应用该设计的金属化制造过程无效

专利信息
申请号: 00131766.0 申请日: 2000-10-17
公开(公告)号: CN1349003A 公开(公告)日: 2002-05-15
发明(设计)人: 吴孝哲 申请(专利权)人: 茂德科技股份有限公司
主分类号: C23C14/50 分类号: C23C14/50
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 周承泽
地址: 台湾省新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本案为一种溅镀清洗室,应用于一半导体制造过程中。该溅镀清洗室包括一晶座,用以承载一晶片,以及一冷却管线,装置于该晶座内,藉以避免该晶片温度升高。藉由该晶座设计,可在钛金属沉积于晶片之前藉由一冷却晶片的步骤,以改善铝的孔隙填补能力。
搜索关键词: 清洗 设计 应用 金属化 制造 过程
【主权项】:
1.一种溅镀清洗室,应用于一半导体制造过程中,包括:晶座,用以承载一晶片;以及冷却管线,装置于该晶座内,藉以避免该晶片温度升高。
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