[发明专利]溅镀清洗室的晶座设计及应用该设计的金属化制造过程无效
申请号: | 00131766.0 | 申请日: | 2000-10-17 |
公开(公告)号: | CN1349003A | 公开(公告)日: | 2002-05-15 |
发明(设计)人: | 吴孝哲 | 申请(专利权)人: | 茂德科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/50 | 分类号: | C23C14/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 周承泽 |
地址: | 台湾省新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本案为一种溅镀清洗室,应用于一半导体制造过程中。该溅镀清洗室包括一晶座,用以承载一晶片,以及一冷却管线,装置于该晶座内,藉以避免该晶片温度升高。藉由该晶座设计,可在钛金属沉积于晶片之前藉由一冷却晶片的步骤,以改善铝的孔隙填补能力。 | ||
搜索关键词: | 清洗 设计 应用 金属化 制造 过程 | ||
【主权项】:
1.一种溅镀清洗室,应用于一半导体制造过程中,包括:晶座,用以承载一晶片;以及冷却管线,装置于该晶座内,藉以避免该晶片温度升高。
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