[发明专利]溅镀清洗室的晶座设计及应用该设计的金属化制造过程

权利要求书

1.一种溅镀清洗室，应用于一半导体制造过程中，包括：

晶座，用以承载一晶片；以及

冷却管线，装置于该晶座内，藉以避免该晶片温度升高。

2.如权利要求1所述的溅镀清洗室，其中该晶座具有一导体表面，用以承载该晶片。

3.如权利要求1所述的溅镀清洗室，该溅镀清洗室更包括：

石英盖，装置于该晶座的上表面，用以保护该晶座免于电浆的损害；

石英绝缘，装置于该晶座的圆周部份，用以保护该晶座免于电浆的损害；

插销衬套孔，设置于该晶座，用以供一插销移动以提升该晶片；以及

支撑物，连接于该晶座，用以移动该晶座。

4.一晶座组，应用于一半导体制造过程的溅镀清洗室，该晶座组包括：

晶座，用以承载一晶片；以及

冷却管线，装置于该晶座内，用以避免该晶片温度升高。

5.如权利要求4所述的晶座组，其中该晶座具有一导体表面，用以承载该晶片。

6.如权利要求4所述的晶座组，其中该晶座组更包括：

石英盖，装置于该晶座的上表面，用以保护该晶座免于电浆的损害；

石英绝缘，装置于该晶座的圆周部份，用以保护该晶座免于电浆的损害；

插销衬套孔，设置于该晶座，用以供一插销移动以提升该晶片；以及

支撑物，连接于该晶座，用以移动该晶座。

7.一种半导体金属化制造过程，该制造过程包括步骤：

(a)提供一晶片；

(b)置该晶片于一溅镀清洗室内，进行一溅镀清洗制造过程并同时对该晶片进行冷却处理；

(c)置该晶片于一物理气相蒸镀室，以形成一钛金属层于该晶片上；以及

(d)形成一铝层于该钛金属层上。

8.如权利要求7所述的制造过程，其中该溅镀清洗室包括：

晶座，用以承载该晶片；以及

冷却管线，装置于该晶座内，用以避免该晶片温度升高。

9.如权利要求8所述的制造过程，其中该步骤(b)系以一冷却水通过该溅镀清洗室的冷却管线，以避免该晶片温度升高与降低该溅镀清洗室的温度。

10.如权利要求7所述的制造过程，其中该步骤(a)之后还包括一清洗晶片的步骤。

11.如权利要求7所述的制造过程，其中该步骤(b)系冷却该晶片温度至40度以下。

12.如权利要求7所述的制造过程，其中该钛金属层的厚度为250埃至400埃。

13.一种改善铝孔隙填补能力的方法，应用于半导体的金属化制造过程中，该方法包括步骤：

(a)提供一晶片；

(b)置该晶片于一溅镀清洗室做溅镀清洗，并同时冷却处理该晶片；

(c)置该晶片于一物理气相蒸镀室，以形成一钛金属层于该晶片上；以及

(d)形成一铝层于该钛金属层上，藉此以改善铝孔隙填补能力。

14.如权利要求13所述的方法，其中该溅镀清洗室具有一可冷却该晶片温度的晶座，以冷却处理该晶片。