[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 00129021.5 | 申请日： | 2000-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1307364A | 公开（公告）日： | 2001-08-08 |
| 发明（设计）人： | 藤本谦昌;原田繁;山下贵司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/31;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种没有因残留、飞溅的浆液引起的例如布线的断线等的不良情况、可靠性高的半导体装置。在衬底1上形成了层间绝缘膜21,在层间绝缘膜21上形成了多晶硅层10。覆盖多晶硅层10,形成了层间绝缘膜22。在层间绝缘膜22上形成了多晶硅层11。覆盖层间绝缘膜22,形成了层间绝缘膜23。从层间绝缘膜23的表面23S开始到多晶硅层11,形成了观察对准标记等的标记用的孔20M。标记用的孔20M比从表面23S到衬底1的接触孔宽,但比该接触孔浅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体装置，其特征在于，具备：衬底，具有主表面；层间绝缘膜，被配置在上述衬底的上述主表面上；至少2层基底层，分别被配置在上述层间绝缘膜内，在上述层间绝缘膜的厚度方向上重叠，彼此间不相接；以及标记用的孔，在上述绝缘膜内从上述层间绝缘膜的与上述衬底相反一侧的表面到上述层间绝缘膜的最靠近上述表面的上述基底层被形成。
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