[发明专利]纳米金刚石粉预处理的大面积金刚石膜材料的生长工艺无效

专利信息
申请号: 00118919.0 申请日: 2000-06-16
公开(公告)号: CN1106455C 公开(公告)日: 2003-04-23
发明(设计)人: 顾长志;金曾孙 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 代理人: 王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属金刚石膜材料的制备工艺。包括预处理和长膜两个过程。预处理是将衬底在纳米级金刚石粉乙醇溶液中浸渍,再高温氢气氛等离子体中退火两小时形成均匀高密度仔晶;长膜是氢气和甲烷为原料气体,在化学气相沉积装置中,在5~15mbar气压和600~950℃衬底温度条件生长金刚石膜。本发明能生长均匀大面积金刚石膜,具有高附着力、低界面态密度、高可靠性、高品质与低成本等优良特性。
搜索关键词: 纳米 金刚石 预处理 大面积 材料 生长 工艺
【主权项】:
1.一种纳米金刚石粉预处理的大面积金刚石膜材料的生长工艺,包括预处理和化学气相沉积的过程。化学气相沉积生长金刚石膜的原料气体为氢气和甲烷,在热灯丝化学气相沉积装置或微波化学气相沉积装置中进行,其特征在于,所说的预处理是将衬底置于纳米级金刚石粉的乙醇溶液中浸渍后,水平放置使乙醇挥发,再放置于微波反应室内,在400~500sccm的流动氢气、气体压强8~15mbar条件下,调整微波功率使衬底温度不小于900℃,处理2小时以上,冷却至常温;所说的化学气相沉积生长金刚石膜,是在气体压强为5~15mbar,衬底温度在600~950℃条件下生长金刚石膜。
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