[发明专利]纳米金刚石粉预处理的大面积金刚石膜材料的生长工艺无效
申请号: | 00118919.0 | 申请日: | 2000-06-16 |
公开(公告)号: | CN1106455C | 公开(公告)日: | 2003-04-23 |
发明(设计)人: | 顾长志;金曾孙 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明属金刚石膜材料的制备工艺。包括预处理和长膜两个过程。预处理是将衬底在纳米级金刚石粉乙醇溶液中浸渍,再高温氢气氛等离子体中退火两小时形成均匀高密度仔晶;长膜是氢气和甲烷为原料气体,在化学气相沉积装置中,在5~15mbar气压和600~950℃衬底温度条件生长金刚石膜。本发明能生长均匀大面积金刚石膜,具有高附着力、低界面态密度、高可靠性、高品质与低成本等优良特性。 | ||
搜索关键词: | 纳米 金刚石 预处理 大面积 材料 生长 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种纳米金刚石粉预处理的大面积金刚石膜材料的生长工艺,包括预处理和化学气相沉积的过程。化学气相沉积生长金刚石膜的原料气体为氢气和甲烷,在热灯丝化学气相沉积装置或微波化学气相沉积装置中进行,其特征在于,所说的预处理是将衬底置于纳米级金刚石粉的乙醇溶液中浸渍后,水平放置使乙醇挥发,再放置于微波反应室内,在400~500sccm的流动氢气、气体压强8~15mbar条件下,调整微波功率使衬底温度不小于900℃,处理2小时以上,冷却至常温;所说的化学气相沉积生长金刚石膜,是在气体压强为5~15mbar,衬底温度在600~950℃条件下生长金刚石膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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