[发明专利]一种在254纳米紫外光下发光的复合材料无效
| 申请号： | 00107830.5 | 申请日： | 2000-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1332222A | 公开（公告）日： | 2002-01-23 |
| 发明（设计）人： | 杨丽敏;徐怡庄;田文;赵莹;孙文秀;徐端夫;吴瑾光;徐光宪 | 申请（专利权）人： | 北京大学;中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C09K11/00 | 分类号： | C09K11/00 |
| 代理公司： | 北京华一君联专利事务所 | 代理人： | 周政 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在254纳米紫外光下发光的复合材料,该材料为一类新型的稀土荧光络合物组合物,是一种少见的发光材料,在短波长254纳米的紫外光下发绿光。由有机羧酸类或其衍生物与稀土化合物,碱土金属或过渡金属化合物以及高分子化合物制成。是一种新型的防伪材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 254 纳米 紫外光 发光 复合材料 | ||
【主权项】：
1.一种在紫外光下发光的材料，其特征在于，所述的发光材料是一种在254纳米紫外光下发绿色光的复合材料，该复合材料包括：{1}如通式[I]所示的络合物：L1L2RxM1yM21-x-y[I]式中的L1L2相同或不相同，皆为有机羧酸或其衍生物的负离子，包括：苯甲酸、邻苯二甲酸、对苯二甲酸、邻苯二甲酸酐与氨基酸反应产生的N-一元酰基化的氨基酸或有机酰胺；R为稀土金属铽离子；x为铽在金属总摩尔数中所占的百分数；M1为与铽共掺杂的其他金属离子，包括：铈、镧或镝，或者M1与M2相同；铽在金属总摩尔数中所占的百分数伪0.05—100％，M1在在金属总摩尔数中所占的百分数为0—20％。M2为碱土金属或过渡金属离子，包括：钙、锶或锌，M2在金属总摩尔数中所占的百分数为0—99.95％；y为共掺杂稀土离子在金属总摩尔数中所占的百分数；{2}高分子保护剂，包括：聚乙二醇，聚乙烯基吡咯烷酮，有机玻璃，尼龙。
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