[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 00104151.7 | 申请日： | 1994-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1149682C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 宫永昭治;大谷久;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素，然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上，晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位，按以下方式形成半导体器件的有源区，即根据所期望的有源区迁移率，来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个表面上形成包含硅的非单晶半导体层；至少在所述半导体层的一部分引入选自下列组的元素：：B、Al、Ga、In、Tl、Sc、Y、镧系元素、C、Ge、Sn、Pb、Ti、Zr、Hf、N、P、As、Sb、Bi、V、Nb、Zn和Ta；在所述引入之后，对所述半导体层加热晶化；和在所述晶化之后，在所述半导体层的一部分内形成所述半导体器件的有源区，其中半导体层的所述部分包含在与所述器件的电流方向平行的方向上延伸的至少一个晶界。
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