[发明专利]电压可调谐变抗器和包括这种变抗器的可调谐器件

权利要求书

1.一种电压可调谐介电变抗器，包括：

一个基片，具有一个第一介电常数和带有大体一个平面表面；

一个可调谐铁电层，定位在基片的大体平面表面上，可调谐铁电层具有大于所述第一介电常数的一个第二介电常数；及

第一和第二电极，定位在相对着基片的大体平面表面的可调谐铁电层的一个表面上，所述第一和第二电极分离以在其之间形成一个间隙。

2.根据权利要求1所述的电压可调谐介电变抗器，进一步包括：

在所述间隙中的一种绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的电压可调谐介电变抗器，其中可调谐铁电层具有大于约100的介电常数。

4.根据权利要求1所述的电压可调谐介电变抗器，其中基片具有小于约30的介电常数。

5.根据权利要求1所述的电压可调谐介电变抗器，其中可调谐铁电层具有从约20至约2000范围内的介电常数、和在约10V/μm的偏置电压下从约10％至约80％范围内的可调谐能力。

6.根据权利要求1所述的电压可调谐介电变抗器，其中基片包括如下组的一种：MgO、氧化铝、LaAlO₃、蓝宝石、和陶瓷。

7.根据权利要求1所述的电压可调谐介电变抗器，其中可调谐铁电层包括如下之一：

一层可调谐铁电厚膜；

一层可调谐铁电厚层陶瓷；及

一层可调谐铁电薄膜。

8.根据权利要求1所述的电压可调谐介电变抗器，其中可调谐铁电包括一个RF输入和一个RF输出以便在一个第一方向经可调谐铁电层通过一个RF信号，及其中间隙在基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。

9.一种反射终端移相器，包括：

一个环形耦合器，带有一个RF输入和一个RF输出；

第一和第二短线，定位在所述环形耦合器上；

一个第一反射终端，相邻所述第一短线的一端定位；及

一个第二反射终端，相邻所述第二短线的一端定位；

其中所述第一反射终端和所述第二反射终端的每一个包括一个可调谐变抗器，该可调谐变抗器包括：一个基片，具有一个第一介电常数和带有大体平面表面；一个可调谐铁电层，定位在基片的大体平面表面上，可调谐铁电层具有大于所述第一介电常数的一个第二介电常数；及第一和第二电极，定位在相对着基片的大体平面表面的可调谐铁电层的一个表面上，所述第一和第二电极分离以在其之间形成一个间隙。

10.根据权利要求9所述的反射终端移相器，其中可调谐铁电层具有大于约100的介电常数。

11.根据权利要求9所述的反射终端移相器，其中基片具有小于约30的介电常数。

12.根据权利要求9所述的反射终端移相器，其中所述第一反射终端和所述第二反射终端的每一个进一步包括一个与所述变抗器电气串联的电感器。

13.根据权利要求9所述的反射终端移相器，进一步包括：

第一和第二直流块，所述第一直流块定位在所述RF输入中，而所述第二直流块定位在所述RF输出中。

14.一种加载线移相器，包括：

一个微波传输带，带有一个RF输入和一个RF输出；

第一和第二径向短线，从所述微波传输带延伸；

一个第一变抗器，定位在所述第一径向短线中；及

一个第二变抗器，定位在所述第二径向短线中；

其中所述第一变抗器和所述第二变抗器的每一个包括：一个基片，具有一个第一介电常数和带有大体平面表面；一个可调谐铁电层，定位在基片的大体平面表面上，可调谐铁电层具有大于所述第一介电常数的一个第二介电常数；及第一和第二电极，定位在相对着基片的大体平面表面的可调谐铁电层的一个表面上，所述第一和第二电极分离以在其之间形成一个间隙。

15.根据权利要求14所述的加载线移相器，其中可调谐铁电层具有大于约100的介电常数。

16.根据权利要求14所述的加载线移相器，其中基片具有小于约30的介电常数。