[发明专利]在陶瓷成形体中愈合裂纹的方法以及用这种方法处理的成形体

权利要求书

1．一种愈合陶瓷成形体中的裂纹的方法，其中，把比成形体材料更低的温度下熔化和/或在比成形体材料更低的温度下可以流动的填充材料至少在裂纹区域内涂敷到成形体表面上，和/或引入到至少一个裂纹内，其中，把具有涂敷和/或引入的填充材料的成形体加热到成形体材料还不熔化和/或还不流动的温度，但是，在该温度下，填充材料至少处于部分熔化或流动状态，其中，所述填充材料由非金属化合物组成或者基本由非金属化合物组成，并且至少部分结晶，其中，冷却带有填充材料的成形体。

2．根据权利要求1的方法，其中，所述成形体材料选自由硅酸盐陶瓷、氧化物陶瓷、氮化物或碳化物陶瓷、陶瓷磁性材料或陶瓷超导材料组成的组中。

3．根据权利要求2的方法，其中，所述成形体的材料是陶瓷高温超导材料。

4．根据权利要求3的方法，其中，所述成形体的材料和/或填充材料基本由选自由Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、镧系元素、Zr、Hf、Pt、Pd、Ag、Cu、Hg、Ag、Tl、Pb、Bi、S和O组成的组中的元素组成。

5．根据权利要求3或4的方法，其中，成形体材料和/或填充材料选自由Bi-AE-Cu-O、(Bi,Pb)-AE-Cu-O、Y-AE-Cu-O、(Y,RE)-AE-Cu-O、RE-AE-Cu-O、Tl-AE-Cu-O、(Tl,Pb)-AE-Cu-O和Tl-(Y,AE)-Cu-O为基础的材料组成的组中，其中，AE代表至少一种碱土元素。

6．根据权利要求1-5的任一项的方法，其中，使用一种填充材料，其中，填充材料的主晶相之一的晶格的晶格参数中的至少两个充分类似于成形体材料主晶相之一的晶格参数。

7．根据权利要求1-6中的任一项的方法，其中，所述成形体基本是板、圆片、块、实心圆柱、空心圆柱、环、管或螺旋管的形式。

8．根据权利要求1-7的任一项的方法，其中，所述成形体是一种半烧结的、烧结的熔融陶瓷体，相对密度至少80％，优选的是至少90％。

9．根据权利要求1-8的任一项的方法，其中，把一种粉末涂敷和/或引入作为填充材料，和/或施加一种压制的、煅烧的、烧结的或熔化的成形体和/或涂层。

10．根据权利要求1-9的任一项的方法，其中，去掉裂纹、晶界和/或污染的或结构损坏的区域，特别是通过锯切，并且随后把去掉的区域当作裂纹处理。

11．根据权利要求1-10的任一项的方法，其中，所述带有填充材料的成形体在该温度下保温，至少使熔化的填充材料可以至少部分渗透进入较宽的裂纹或进入已经去掉的区域。

12．根据权利要求1-11的任一项的方法，其中，选择所述填充材料的热结晶条件，使得填充材料在裂纹面上、已经去掉的区域表面上和/或成形体的表面上外延生长。

13．根据权利要求3-12的任一项的方法，其中，所述成形体在冷却过程中和/或在随后的热处理过程中富集氧，并且在其中形成超导相。

14．根据权利要求3-13的任一项的方法，其中，在含氧气体中把所述带有加热的填充材料的成形体重新热处理，以便改善超导性。

15．根据权利要求1-14的任一项的方法，其中，在带有加热的填充材料的成形体上进行机械表面加工。

16．根据权利要求1-15的任一项的方法，其中，使用一种只有几个磁畴的成形体。

17．根据权利要求1-16的任一项的方法，其中，使用一种成形体，所述成形体用改进的熔体织构生长法或顶部籽晶熔体生长法生产。

18．根据权利要求1-17的任一项的方法，其中，愈合裂开的磁畴。