[发明专利]放大器输出级无效
| 申请号: | 99808771.8 | 申请日: | 1999-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN1309831A | 公开(公告)日: | 2001-08-22 |
| 发明(设计)人: | P·拉尔瑟尔 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/30 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正,孙黎明 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 放大器 输出 | ||
1.具有末级(4)和前级(2)的放大器输出级,其中前级与末级相联接,
其特征在于:
-前级(2)具有多个可控电流源(TN2A、TP1A),通过这些电流源可以调节末级中的静态电流(IQ),
-在控制装置(3)中,用控制电流(I2)并根据前级(2)中的多个可控电流源(TN2A、TP1A)来生成和调整控制电压(710、720),其中各控制电压恰好控制前级中多个可控电流源(TN2A、TP1A)中的一个,
-在控制装置中,控制电流(I2)与末级中的静态电流(IQ)成比例。
2.根据权利要求1所述的放大器输出级,
其特征在于:
前级(2)具有两个射极或源极跟随器电路(TP1A、RPA、TP2A;TN1A、RNA、TN2A),其中每个射极或源极跟随器电路恰好包含多个可控电流源(TP1A、TN2A)之一。
3.根据权利要求2所述的放大器输出级,
其特征在于:
控制装置(3)具有两个射极或源极跟随器电路(TN1B、RNB、TN2B;TP1B、RPB、TP2B),其中两个射极或源极跟随器电路模仿了在不调制状态时的前级的两个射极或源极跟随器电路(TN1A、RNA、TN2A;TP1A、RPA、TP2A)。
4.根据前述权利要求之一所述的放大器输出级,
其特征在于:
末级(4)具有推挽AB驱动的第一(TPAUS)和第二(TNAUS)晶体管。
5.根据权利要求4所述的放大器输出级,
其特征在于:
控制装置(3)具有第一(TPS2)和第二(TNS2)晶体管以及可控电流源(I2),其中第一晶体管(TPS2)模仿末级(4)的第一晶体管(TPAUS),第二晶体管(TNS2)模仿末级(4)的第二晶体管(TNAUS),并由可控电流源提供这两个晶体管中的控制电流。
6.根据权利要求5所述的放大器输出级,
其特征在于:
控制装置(3)具有第一(TPS1)和第二(TNS1)镜像晶体管,其中第一镜像晶体管(TPS1)通过第一晶体管(TPS2)来镜像电流,第二镜像晶体管(TNS1)通过第二晶体管(TNS2)来镜像电流。
7.根据权利要求6所述的放大器输出级,
其特征在于:
控制装置(3)具有第一(TNS3)和第二(TPS3)控制晶体管,其中第一控制晶体管(TNS3)调节流入第一镜像晶体管(TPS1)中的电流,第二控制晶体管(TPS3)调节流入第二镜像晶体管(TNS1)中的电流。
8.根据权利要求3、4、5、6或7所述的放大器输出级,
其特征在于:
控制装置(3)具有第一(OPP)和第二(OPN)控制运放器,其中第一控制运放器(OPP)控制第一射极或源极跟随器电路的可控电流源(TP1B)的控制电压(720),第二控制运放器(OPN)控制第二射极或源极跟随器的可控电流源(TN2B)的控制电压(710)。
9.根据前述权利要求之一所述的放大器输出级,
其特征在于:
放大器输出级具有采用CMOS技术的p沟道和n沟道MOSFET晶体管。
10.根据权利要求9所述的放大器输出级,
其特征在于:
在控制装置(3)中,第二镜像晶体管(TNS1)的和第二晶体管(TNS2)的沟道宽/长比WL1和WL2、以及第一镜像晶体管(TPS1)的和第一晶体管(TPS2)的WL3和WL4适用下述关系式:
WL1>>WL2和WL3>>WL4。
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