[发明专利]钨的超微粒子及其制法无效
| 申请号： | 99804421.0 | 申请日： | 1999-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1294638A | 公开（公告）日： | 2001-05-09 |
| 发明（设计）人： | 玉生良孝;田中俊一郎;许并社 | 申请（专利权）人： | 科学技术振兴事业团;株式会社东芝 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;B22F9/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,邰红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微粒子 及其 制法 | ||
1．一种钨超微粒子，该钨超微粒子是用电子束照射钨氧化物粒子所形成的钨超微粒子，其特征在于，它是由在高真空气氛中以具有1023～1024e／cm2·sec范围强度的电子束照射前述钨氧化物粒子，由从所述钨氧化物粒子脱离出来的钨所构成的。
2．权利要求1所述的钨超微粒子，其特征在于，它是粒径为10nm以下的钨超微粒子。
3．权利要求1所述的钨超微粒子，其特征在于，它是由单结晶粒子构成的钨超微粒子。
4．权利要求1所述的钨超微粒子，其特征在于，所述钨超微粒子是作为粒子单体存在的钨超微粒子。
5．权利要求1所述的钨超微粒子，其特征在于，前述钨超微粒子是以多个超微粒子融合了的状态存在的钨超微粒子。
6．一种钨纳米结晶薄膜，其特征在于，它是由权利要求1所述的钨超微粒子多个融合的融合体所构成，且平均结晶粒径在10nm以下。
7．一种钨超微粒子的制备方法，它包含在无定形碳膜上配置钨氧化物粒子的工序、和在高真空气氛下以具有1023～1024e／cm2·sec范围的强度的电子束对上述钨氧化物粒子进行照射使从所述钨氧化物粒子脱离的钨生成钨超微粒子的工序。
8．权利要求7所述的钨超微粒子的制备方法，其特征在于，它是在10-5帕以下的真空气氛中对上述的钨氧化物粒子照射上述电子束的钨超微粒子的制备方法。
9．权利要求7所述的钨超微粒子的制备方法，其特征在于，所述的钨氧化物粒子是WO3粒子。
10．权利要求7所述的钨超微粒子的制备方法，其特征在于，还将从所述的钨氧化物粒子脱离出来的钨超微粒子再附着在所述的无定形碳膜上且使之相互融合。
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