[发明专利]有机场致发光器件

权利要求书

1．一种有机场致发光器件，该器件包含基体、成形在该基体上的空穴注入电极和电子注入电极以及配置在两电极之间的含有机材料的有机层，

所述有机层包括具有共轭聚合物的发光层，

所述器件还包括配置在所述发光层与所述电子注入电极之间的无机绝缘性电子注入输运层，

所述无机绝缘性电子注入输运层包含：

至少一种选自氧化锂、氧化铷、氧化钾、氧化钠和氧化铯的氧化物的第一组分，

至少一种选自氧化锶、氧化镁和氧化钙的氧化物的第二组分，以及

氧化硅、氧化锗或氧化硅与氧化锗的混合物的第三组分。

2．权利要求1的有机场致发光器件，其中所述无机绝缘性电子注入输运层含5-95(摩尔)％第一组分、5-95(摩尔)％第二组分和5-95(摩尔)％第三组分(以各组分总量计)。

3．权利要求1或2的有机场致发光器件，其中所述无机绝缘性电子注入输运层的厚度为0.1-2纳米。

4．权利要求1-3中任一项的有机场致发光器件，其中所述电子注入电极是由选自Al、Ag、In、Ti、Cu、Au、Mo、W、Pt、Pd和Ni的至少一种金属元素构成的。

5．权利要求1-4中任一项有机场致发光器件，还包括配置在所述发光层与所述空穴注入电极之间的无机绝缘性空穴注入输运层，

所述无机绝缘性空穴注入输运层包含氧化硅或氧化锗或氧化硅与氧化锗的混合物的主要组分，

该主要组分根据Rutherford反向散射分析得到的平均组成的表示式为：(Si_1-xGe_x)O_y，其中0≤x≤1,1.7≤y≤1.99。

6．权利要求5的有机场致发光器件，其中所述无机绝缘性空穴注入输运层的厚度为0.1-3纳米。