[实用新型]锁闭电磁场的动力电缆无效
| 申请号: | 99244171.4 | 申请日: | 1999-09-06 |
| 公开(公告)号: | CN2390264Y | 公开(公告)日: | 2000-08-02 |
| 发明(设计)人: | 滕征森;邰淑琴;巴君山;孙平 | 申请(专利权)人: | 滕征森;邰淑琴;巴君山;孙平 |
| 主分类号: | H01B9/02 | 分类号: | H01B9/02;H01B9/00 |
| 代理公司: | 北京科龙环宇专利事务所 | 代理人: | 孙皓晨 |
| 地址: | 102413*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电磁场 动力 电缆 | ||
本实用新型涉及一种输送电力的电缆。
目前,当今世界仍广泛使用铁塔架空裸线的高压输电系统,它的交变电磁场是完全开放的,它的电磁辐射能使氖灯在几米至十几米范围内发光。在中、低压输电系统中,虽然大量使用橡胶、塑料绝缘电(线)缆,但对它们的电磁场和电磁辐射,也未做彻底的屏蔽保护处理。这首先给电网带来巨大的安全隐患,例如:高压电网易遭雷电侵害,雨湿天气也容易诱发放电事故。输电系统的电磁辐射,对环境、对居民的危害不容忽视,因而,需要在高压线路上开辟宽达30米的高压走廊。
鉴此,本实用新型的目的是提供一种锁闭电磁场的动力电缆,它是在导电线芯的半导体屏蔽层与聚乙烯绝缘层之间插入灭弧层及其外围的半导体悬浮电极,减少电晕现象和微电弧产生,又减少高频电磁辐射发生,同时对导体线芯高压交流电场起屏蔽及对电流起抑制作用。
本实用新型的目的是这样实现的:它包括导电线芯、半导体屏蔽层、高绝缘层、半导体屏蔽层,在半导体屏蔽层外表面设置圆环状内灭弧层,又在该内灭弧层和高绝缘层之间设置圆环状悬浮电极,还在半导体屏蔽层外表面设有圆环状零电位电磁屏蔽层。
所述高绝缘层和半导体屏蔽层之间由内向外依序设有外悬浮电极及外灭弧层。
在所述零电位电磁屏蔽层外表面设有圆壳状硬铠外壳。
由于采用上述方案:提高了电缆中绝缘材料对高电压的绝缘强度,同时也防止绝缘材料遭受破坏,电缆使用安全可靠。
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1本实用新型典型实施例横剖面示意图。
图中:
1、导电线芯 2、半导体屏蔽层 3、内灭弧层
4、内悬浮电极 5、高绝缘层 6、外悬浮电极
7、外灭弧层 8、半导体屏蔽层 9、零电位电磁屏蔽层
10、硬铠外壳
本实施例包括导电线芯1,半导体屏蔽层2、内灭弧层3、内悬浮电极4、高绝缘层5、外悬浮电极6、外灭弧层7、半导体屏蔽层8、零电位电磁屏蔽层9、硬铠外壳10,如图1所示,其中:
导电线芯1是铜或铝材料制成的圆断面线材,可用于输送容量超过10KV,甚至100KV高压电的线芯,属现有技术。
半导体屏蔽层2是由橡胶中混合石墨粉制成的圆环层,该半导体屏蔽层2包裹在导电线芯1外表面,属现有技术。
内灭弧层3是由绝缘材料(如:六氟化硫)制成圆环体,可以强化绝缘,又能起到灭弧、减少电晕作用,该内灭弧层3设置在半导体屏蔽层2外表面。
内悬浮电极4是半导电环层,该内悬浮电极4包裹在内灭弧层3外表面上,可收集静电荷且均布在其表面,该内悬浮电极4与内灭弧层3的相结合,便产生下列效果:
1、有效地防止感应电在内灭弧层3和绝缘层5中的发生和积聚,从而,减少和抑制电晕现象和微电弧的产生,提高了绝缘材料对高电压的绝缘强度。
2、减少了高频电磁辐射的发生。
3、内悬浮电极4与内灭弧层3的存在,大幅度提高了半导体屏蔽层2对导电线芯1高压交流电场的屏蔽和对电流的抑制作用,并可最大限度防止高压电场对绝缘材料的极化破坏作用。
高绝缘层5,如:高密度聚乙烯绝缘材料制成的圆环体,该高绝缘层5套置在内悬浮电极4外表面,属现有技术。
对于电压在100KV以上的高压动力电(线)缆来说,还必须在高绝缘层5与半导体屏蔽8之间,再增设一个外悬浮电极6,并在外悬浮电极6与半导体屏蔽层8之间,由另一种灭弧绝缘材料构成的外灭弧层7。外悬浮电极6与外灭弧层7的联合功能主要是:
1、有效地防止感应电荷在高绝缘层5和在外灭弧层7中的产生和积聚,避免发生局部电晕和微电弧现象,从而提高绝缘材料的绝缘强度和线缆运行的可靠性。
2、阻绝电(线)缆内外高频电磁辐射场,避免电磁辐射的发射和相互干扰。在战争期间,中、高压动力电网发出的高频电磁辐射,常常成为敌人高技术导弹和智能武器寻的靶标,阻绝了高频电磁辐射,也就使敌人失去了攻击的目标,即使敌人发射“石墨炸弹”也只能变成“盲弹”,瞎炸一阵。
3、外悬浮电极6与外灭弧层7的存在,极大地强化了零电位电磁屏蔽层对高压电场、磁场的接地屏蔽作用,防止电(线)缆绝缘材料因接地极化作用,引起内部结构和性能的劣化倾向,提高电(线)缆输电运行的安全性和可靠程度。
半导体屏蔽层8是由橡胶中混合石墨制成的圆环层,该半导体屏蔽层8包裹在外灭弧层7外表面上,属现有技术。
零电位电磁屏蔽层9是内层为铜,外层为氧化铁或软铁的圆环层,该零电位电磁屏蔽层9套置在半导体屏蔽层8外表面,并且与地连接,它的作用是:
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