[实用新型]多倍记忆容量的记忆体模组无效
| 申请号： | 99217217.9 | 申请日： | 1999-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN2386515Y | 公开（公告）日： | 2000-07-05 |
| 发明（设计）人： | 郭丽玉 | 申请（专利权）人： | 郭丽玉 |
| 主分类号： | G11C5/00 | 分类号： | G11C5/00;H05K13/00 |
| 代理公司： | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人： | 曹广生 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记忆 容量 记忆体 模组 | ||
【权利要求书】：
1、一种多倍记忆容量的记忆体模组，包括数个记忆体晶片，其特征是：数个记忆体晶片以覆晶式排列装设在一长片状的子板的底面，并在该子板的底面上装设数个锡球构成一个记忆体模组，又该数个锡球叠装在另一记忆体模组的子板顶面上，其中位于最底面子板借其底面的数个锡球组装在一电路母板上。
2、按权利要求1所述的多倍记忆容量的记忆体模组，其特征是：所述子板为一短片体、且其上仅装一记忆体晶片。
3、按权利要求1所述的多倍记忆容量的记忆体模组，其特征是：所述子板的顶面各种接点上装设一导电垫圈。
4、按权利要求1所述的多倍记忆容量的记忆体模组，其特征是：所述子板上设有双面电路板。
5、按权利要求1所述的多倍记忆容量的记忆体模组，其特征是：所述位于最顶面的子板仅在其底面装设记忆体晶体，并在子板的外面装设一散热片。
6、按权利要求1所述的多倍记忆容量的记忆体模组，其特征是：所述记忆体晶片借其下方的接点组装在子板的电路板上，并在记忆体晶片的下方两侧各设有一支持球。
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