[发明专利]晶片级封装及其制造方法以及由其制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种晶片级封装(10A；10B；10C；10D；10E；10F；10G；10H；10I；10J；10K；10L；10M；10N)，特征在于包括：

具有至少一个半导体芯片电路形成区域(12)的半导体晶片(11)，每个半导体芯片电路形成区域(12)包括半导体芯片电路和多个芯片端子(13，13A，13B)，所述芯片端子(13，13A，13B)包括至少一个测试芯片端子(13A)和至少一个非测试芯片端子(13B)；

至少一个电连接到所述至少一个非测试芯片端子(13B)的外部连接端子(14)；

至少一个提供在所述半导体晶片(11)上的再分布导电条(15)，所述再分布导电条(15)的第一端连接到其中一个所述测试芯片端子(13A)，所述再分布导电条(15)的第二端延伸到与所述一个所述芯片端子(13，13A，13B)偏移的位置；

至少一个提供在所述半导体芯片电路形成区域(12)的外部区域(18)中的测试构件(16；27；33；36)，所述再分布导电条(15)的所述第二端连接到所述至少一个测试构件(16；27；33；36)；以及

绝缘材料(17；19，20)，覆盖至少所述再分布导电条(15)，所述至少一个外部连接端子(14)以及所述至少一个测试构件(16；27；33；36)从所述绝缘材料(17；19，20)中露出。

2.根据权利要求1的晶片级封装(10B；10C；10D；10E；10F；10G；10H；10I；10J；10K；10L；10M；10N)，还包括提供在所述绝缘材料(17；19，20)上的密封树脂(22)，使所述外部连接端子(14)和所述至少一个测试构件(16；27；33；36)的上部分从所述密封树脂(22)中露出。

3.根据权利要求1的晶片级封装(10A；10B；10C；10D；10E；10F；10G；10H；10I；10J；10K；10L；10M；10N)，特征在于所述至少一个外部连接端子(14)提供在所述半导体芯片电路形成区域(12)内与所述至少一个非测试芯片端子(13B)偏移的位置处，以此方式使所述至少一个外部连接端子(14)和所述至少一个非测试端子通过内部的再分布导电条(15)电连接。

4.根据权利要求1的晶片级封装(10D)，特征在于还包括提供在所述外部区域(18)中、在所述测试芯片端子(13A)与所述至少一个测试构件(16；27；33；36)之间的过量电源保护元件。

5.根据权利要求1的晶片级封装(10A；10B；10C；10D；10E；10F；10G；10H；10I；10J；10M；10N)，特征在于所述至少一个测试构件(16；27；33；36)包括至少一个分别对应于所述至少一个半导体芯片电路形成区域(12)的测试端子(16)，所述测试端子提供在所述外部区域(18)中。

6.根据权利要求1的晶片级封装(10E)，特征在于所述至少一个测试构件(16；27；33；36)包括多个分别对应于多个所述半导体芯片电路形成区域(12)的测试端子(16)，和至少一个连接所述测试端子(16)的公用线，所述测试端子(16)和所述公用线(25)提供在所述外部区域(18)中。

7.根据权利要求1的晶片级封装(10E；10G；10L)，还包括提供在所述外部区域(18)中的至少一个公用线(25)，多个所述再分布导电条(15)从连接到所述公用线(25)的多个所述半导体芯片电路形成区域(12)中延伸出，特征在于所述至少一个测试构件(16；27；33；36)包括提供在部分所述公用线(25)上并从所述绝缘材料(17；19，20)中露出的测试焊盘(27)。

8.根据权利要求1的晶片级封装(10H)，特征在于还包括具有不同功能并提供在所述半导体芯片电路形成区域(12)中的多个单元(28，29)，所述至少一个再分布导电条(15)的第一端连接到所述单元(28，29)的一个或其组合，所述至少一个再分布导电条(15)的第二端连接到所述至少一个测试构件(16；27；33；36)。

9.根据权利要求1的晶片级封装(10I)，特征在于还包括在所述半导体芯片电路形成区域(12)中引入的测试用电路(32)，所述至少一个再分布导电条(15)的第一端连接到所述测试用电路，所述至少一个再分布导电条(15)的第二端连接到所述至少一个测试构件(16；27；33；36)。