[发明专利]具有腔体的金属丝熔丝结构

权利要求书

1．动态随机存取存储器集成电路，其包括：

具有主存储器阵列元件的主存储器阵列；

耦连到所述主存储器阵列、包括冗余存储器阵列元件的冗余存储器阵列；

至少一个激光熔丝链，用激光能量使至少一个所述的冗余存储器阵列元件选择性地替代有缺陷的一个所述主存储器元件；

至少一个腔体部分，位于所述的激光熔丝链和所述的激光能源之间。

2．根据权利要求1的动态存取存储器集成电路，其中，所述的激光熔丝链包括第1导电层和位于所述的第1导电层上面的第2导电层，其中所述的腔体部分位于所述第2导电层中。

3．根据权利要求1的动态存取存储器集成电路，进一步包括熔丝窗口，允许所述的激光能量达到所述的熔丝链，其中，所述的腔体位于所述的熔丝链和所述的熔丝窗口之间。

4．根据权利要求3的动态存取存储器集成电路，其中，所述的腔体从所述熔丝链向所述的熔丝窗口导入能量和熔丝材料。

5．根据权利要求1的动态存取存储器集成电路，还包括位于所述的腔体中的导电岛。

6．根据权利要求1的动态存取存储器集成电路，其中所述的导电岛在所述的熔丝链上聚集激光能量。

7．一种集成电路，其包括：

主要器件；以及

冗余器件，通过至少一个熔丝选择地替换所述的主要器件，

所述的熔丝包括：

具有至少一个熔丝链区的第1层；

位于所述的第1层上面的第2层；以及

所述第2层中的腔体，相对于所述的熔丝链区安置成从所述的集成电路中的相邻器件排除熔丝材料。

8．根据权利要求7的集成电路，还包括位于所述的第2层上面的绝缘层，其中所述的第1层包括导电层，所述的第2层包含导电层。

9．根据权利要求7的集成电路，还包括使激光能量达到所述的熔丝链区的熔丝窗孔，其中所述的腔体位于所述的熔丝链区和所述的熔丝窗孔之间。

10．根据权利要求9的集成电路，其中，所述的腔体从所述的熔丝链区向所述的熔丝窗孔导入能量和熔丝材料。

11．根据权利要求7的集成电路，还包括位于所述腔体中的导电岛。

12．根据权利要求7的集成电路，其中所述的导电岛在所述的熔丝链区上聚集激光能量。

13．形成集成电路熔丝结构的方法，其包括：

形成熔丝链层；

在上述的熔丝链层上面形成第2层；以及

在上述的第2层中形成至少一个腔体，使得所述腔体相对于上述的熔丝链区安置成从上述的集成电路中的相邻器件排除熔丝材料。

14．根据权利要求13的方法，其中，上述的熔丝链层的上述形成和上述的第2层的上述形成包括淀积工艺。

15．根据权利要求13的方法，其中，上述的熔丝链层的上述形成和上述的第2层的上述形成包括镶嵌工艺。

16．根据权利要求13的方法，还包括在上述的第2层上面形成绝缘层，其中，上述的熔丝链层包括导电层，上述的第2层包括导电层。

17．根据权利要求13的方法，还包括在上述的第2层上面形成熔丝窗孔，允许激光能量达到上述的熔丝链层，其中，上述的腔体位于上述的熔丝链层和上述的熔丝窗孔之间。

18．根据权利要求17的方法，其中，上述的腔体从所述熔丝链层向上述的熔丝窗孔导入能量和熔丝材料。

19．根据权利要求13的方法，还包括在上述的腔体内形成导电岛。

20．根据权利要求13的方法，其中，上述的导电岛在上述的熔丝链上积聚激光能量。