[发明专利]去除硅单晶中重金属杂质的方法无效
| 申请号： | 99117832.7 | 申请日： | 1999-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1285422A | 公开（公告）日： | 2001-02-28 |
| 发明（设计）人： | 季振国;樊瑞新;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 硅单晶中 重金属 杂质 方法 | ||
【权利要求书】：
1．去除硅单晶中重金属杂质的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
1)将高纯度的锡或镓或铝或铟或铅金属或它们的组合置于坩埚中熔化成金属熔体。
2)将硅单晶预热至与金属熔体相近的温度，然后浸入金属熔体中，硅单晶的有害重金属杂质将通过扩散进入金属熔体。
3)去杂质完毕，从金属熔体中取出硅单晶。
2．按权利要求1所述的去除硅单晶中重金属杂质的方法，其特征是在将硅单晶浸入金属熔体前，先用硅饱和金属熔体。
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