[发明专利]红外辐射热测量计及其制造方法无效

专利信息
申请号: 98814364.X 申请日: 1998-12-18
公开(公告)号: CN1327535A 公开(公告)日: 2001-12-19
发明(设计)人: 朱相伯 申请(专利权)人: 大宇电子株式会社
主分类号: G01J5/20 分类号: G01J5/20
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 刘兴鹏
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 红外 辐射热 测量计 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种红外辐射热测量计,包括:

一活性基体层,其包括一基片和一对连接端子;

一支持层,其设有一对电桥和一对导线;

一吸收层,其包括一被吸收体包围的辐射热计元件,所述辐射热计件在垂直方向上呈波纹状;以及

一对端子,每个所述端子包括一电线导管,其中吸收层的辐射热测量元件的每端通过相应的电线导管和相应的导线而与相应的连接端子电连接。

2、根据权利要求1所述的辐射热测量计,其特征在于,所述辐射热测量元件具有水平波纹状。

3、根据权利要求1所述的辐射热测量计,其特征在于,所述活性基体层还包括一形成在其顶端的保护层。

4、根据权利要求1所述的辐射热测量计,其特征在于,所述吸收层还包括一形成于吸收体底端的反射层。

5、根据权利要求4所述的辐射热测量计,其特征在于,所述吸收层还包括一形成在吸收体顶端的红外线吸收体涂层。

6、一种制造红外辐射热测量计的方法,其包括如下步骤:

制备一个包括一基片和一对连接端子的活性基体层;

形成包括一对空腔的第一牺牲层;

形成包括一对电桥和一对导线的支持层;

形成包括一对空槽的第二牺牲层;

在所述对空槽中形成一对端子;

沉积一下部吸收体层;

部分蚀刻所述下部吸收体层;

形成一辐射热测量元件;

沉积一上部吸收体层,从而形成一吸收层;以及

去除第一和第二牺牲层,从而形成红外辐射热测量计。

7、如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述部分蚀刻下部吸收体层的步骤使得辐射热计元件具有垂直波纹形状。

8、如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述形成辐射热测量元件的步骤包括沉积辐射热测量元件的金属以及将辐射热测量元件的金属成形为水平螺旋形。

9、如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述下部吸收体层与上部吸收体层的材料相同。

10、如权利要求6所述的方法,其特征在于,还包括在活性基体层的顶端形成一保护层的步骤。

11、如权利要求6所述的方法,其特征在于,还包括在沉积下部吸收体层之前形成一反射层的步骤。

12、如权利要求6所述的方法,其特征在于,还包括在沉积上部吸收体层之后形成一红外线吸收体涂层的步骤。

13、如权利要求6所述的方法,其特征在于,包括一部分蚀刻第二牺牲层的步骤,其而不是部分蚀刻下部吸收体层的步骤。

14、如权利要求10所述的方法,其特征在于,包括一部分蚀刻反射层的步骤而不是部分蚀刻下部吸收体层的步骤。

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