[发明专利]分散了共聚物的聚硅氧烷和含有它的密封剂

权利要求书

1、一种未固化共聚物-聚硅氧烷组合物，它包括：

从单体形成的共聚物颗粒，这些单体包括至少一种能够形成低Tg聚合物的单体和至少一种能够形成高Tg聚合物的不同单体，所述共聚物颗粒分散在反应活性聚硅氧烷流体中，以及

其中该组合物在20℃下老化24小时后根据ASTM D2452-75测量，粘度增加低于100％。

2、根据权利要求1的未固化共聚物-聚硅氧烷组合物，其中形成所述共聚物颗粒的所述单体在所述反应活性聚硅氧烷流体的存在下聚合，其中所述低Tg为大约-70℃到大约0℃，所述高Tg为大约5℃到大约150℃，所述高Tg聚合物形成用单体的量在大约2．5至大约50wt％，以及所述低Tg聚合物形成用单体的量在大约50至大约97．5wt％之间，基于从所述低Tg和所述高Tg聚合物形成用单体得到的所述共聚物的总量，以及所述共聚物颗粒的量在大约10wt％至大约85wt％／100重量份所述聚硅氧烷流体和所述共聚物颗粒。

3、根据权利要求2的未固化共聚物-聚硅氧烷组合物，其中所述聚硅氧烷有以下结构式：

其中R¹和R²独立地为有1-8个碳原子的烷基，有总共6-10个碳原子的芳基或烷基取代的芳基，其中“n”应使得聚硅氧烷的重均分子量在大约2，000-大约200，000之间，其中X独立地为OH基，或OR³基团，或N(R⁴)₂基团，或其中R³-R¹²独立地为有大约1-大约8个碳原子的烷基，其中各R基团独立地为有1-8个碳原子的烷基或者有6-20个碳原子并任选含有一个或多个官能团的芳基或烷芳基，以及其中m是1，2或3，在20℃下老化24小时后粘度增加低于50％。

4、根据权利要求3的未固化共聚物-聚硅氧烷组合物，其中所述低Tg聚合物形成用单体为丙烯酸C₁-C₈烷基酯，其中所述高Tg聚合物形成用单体为非乙烯基部分有2-10个碳原子的乙烯基酯，丙烯腈或它的C₁-C₆烷基衍生物，有总共8-12个碳原子的乙烯基取代的芳基，或甲基丙烯酸C₁-C₈烷基酯，或者它们的结合物。

5、根据权利要求4的未固化共聚物-聚硅氧烷组合物，其中所述低Tg聚合物形成用单体包括丙烯酸正丁酯，其中所述高Tg聚合物形成用单体包括所述乙酸乙烯酯，其中所述低Tg聚合物形成用单体的量在大约60wt％-大约80wt％之间，基于所述低Tg和所述高Tg聚合物形成用单体的总重量，以及在20℃下老化24小时后粘度增加低于25％，以及所述共聚物颗粒的量在大约50wt％-大约75wt％之间。

6、根据权利要求1的未固化共聚物-聚硅氧烷组合物，包括触变剂和任选的相容剂。

7、根据权利要求4的未固化共聚物-聚硅氧烷组合物，包括触变剂和相容剂。

8、根据权利要求1的共聚物-聚硅氧烷组合物，其中所述共聚物颗粒表面富含所述高Tg聚合物，以及所述组合物可用湿气固化。

9、根据权利要求3的共聚物-聚硅氧烷组合物，其中所述共聚物颗粒表面富含所述高Tg聚合物，所述组合物可用湿气固化，以及所述组合物在20℃下的断裂伸长率为至少500％。

10、根据权利要求5的共聚物-聚硅氧烷组合物，其中所述共聚物颗粒表面富含所述高Tg聚合物，其中所述组合物可用湿气固化，以及其中所述组合物在20℃下断裂伸长率为至少500％。

11、聚硅氧烷组合物，包括：

分散在聚硅氧烷中的共聚物，所述共聚物由单体衍生，这些单体包括至少一种能够形成低Tg聚合物的单体和至少一种能够形成高Tg聚合物的不同单体，所述聚硅氧烷被固化和在20℃下断裂伸长率为至少300％。